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Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 128MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT5VDDT1672HG-265F3
DDR SDRAM
128MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
266MT/s
200-SODIMM
¥25.95
IC Micron 存储器 FLASH 32MBIT 1108MHZ 8VPDFN
京电港自营
自营
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N25Q032A11EF640F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
32Mb （8M x 4）
8ms，5ms
-
SPI
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFPN（6x5）（MLP8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
MOD DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT8HTF6464HDY-53EB3
DDR2 SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
200-SODIMM
¥45.09
IC Micron 存储器 FLASH 32MBIT 75MHZ 8VFQFPN
京电港自营
自营
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M25P32-VMP6TG TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
32Mb （4M x 8）
15ms，5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VFQFPN（6x5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240UDIMM
京电港自营
自营
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MT4HTF6464AY-40EA1
DDR2 SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-UDIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT5VDDT3272HY-335F2
DDR SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
¥201.36
Micron JS28F00AM29EWHA 闪存, 1 Gbyte (12M x 8 位，64M x 16 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
JS28F00AM29EWHA
表面贴装
-
-
-
TSOP
1 Gbyte
并行
56
12M x 8 位，64M x 16 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
64M, 128M
110ns
8/16Bit
18.4 x 14 x 1mm
14mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
¥98.79
IC Micron 存储器 FLASH 4GBIT 48TSOP
京电港自营
自营
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MT29F4G16ABADAWP:D TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
4Gb （256M x 16）
-
-
并联
2.7 V ~ 3.6 V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
48-TSOP I
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3 周
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
京电港自营
自营
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MT16HTF6464AY-40EB2
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-UDIMM
¥96.99
IC Micron 存储器 FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
京电港自营
自营
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MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
1Gb （128M x 8）
-
-
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
63-VFBGA
63-VFBGA（9x11）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
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Micron 存储器模块 MODULE SDRAM 32MB 144SODIMM
京电港自营
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MT4LSDT464HY-133G4
SDRAM
32MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
¥320.43
IC Micron 存储器 FLASH 512MBIT 11010NS 64EASYBGA
京电港自营
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PC28F512P30BFA
Axcell™
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb （32M x 16）
100ns
100ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
64-TBGA
64-EasyBGA（8x10）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM
京电港自营
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MT9VDDT6472AY-335F1
DDR SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
184-UDIMM
¥286.20
Micron JS28F512M29EWHA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位，64M x 8 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
JS28F512M29EWHA
表面贴装
-
-
-
TSOP
512Mbit
并行
56
32M x 16 位，64M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
32M, 64M
110ns
8/16Bit
18.4 x 14 x 1mm
14mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
¥20.61
IC Micron 存储器 FLASH 64MBIT 1108MHZ 8VPDFN
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N25Q064A13EF640F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
64Mb （16M x 4）
8ms，5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFPN（6x5）（MLP8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
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MT4HTF1664HY-40EB2
DDR2 SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
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MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
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MT4HTF3264HY-53EB4
DDR2 SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
200-SODIMM
¥36.00
Micron N25Q032A11ESE40F 闪存, 32Mbit (4M x 8 位), SPI接口, 7ns, 1.7 → 2 V, 8引脚 SOIC W封装
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新品 自营
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N25Q032A11ESE40F
表面贴装
-
-
-
SOIC W
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
4M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
-
-
¥167.88
IC Micron 存储器 FLASH 32MBIT 710NS 47TFBGA
京电港自营
自营
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M28W320ECB70ZB6T TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
32Mb （2M x 16）
70ns
70ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
47-TFBGA
47-TFBGA（6.39x6.37）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
京电港自营
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MT18HTF25672AY-40EA1
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-UDIMM

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