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Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
京电港自营
自营
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MT18HTF25672AY-53EA1
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
京电港自营
自营
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MT8HTF3264AY-53EB3
DDR2 SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
267MHz
240-UDIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM
京电港自营
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MT8HTF12864HY-53EA3
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
200-SODIMM
¥118.56
IC Micron 存储器 FLASH 256MBIT 710NS 56TSOP
京电港自营
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M29W256GL70N6E
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （32M x 8，16M x 16）
70ns
70ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE SDRAM 256MB 144SODIMM
京电港自营
自营
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MT16LSDF3264HG-133G4
SDRAM
256MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
¥96.99
IC Micron 存储器 FLASH 1GBIT 210NS 48TSOP
京电港自营
自营
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MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
1Gb （128M x 8）
-
-
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
48-TSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
询价
Micron 存储器模块 MODULE SDRAM 32MB 144SODIMM
京电港自营
自营
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MT4LSDT464LHG-13EG4
SDRAM
32MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
¥326.58
IC Micron 存储器 SDRAM 4GBIT 1.2GHZ 78BGA
京电港自营
自营
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MT40A1G4RH-083E:B
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR4
4Gb （1G x 4）
-
-
并联
1.14 V ~ 1.26 V
0°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
78-TFBGA
78-FBGA（9x10.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM
京电港自营
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MT9VDDT6472AY-40BF1
DDR SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
184-UDIMM
¥94.77
Micron JR28F064M29EWTA 闪存, 64Mbit (4M x 16 位，8M x 8 位), 并行接口, 70ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
JR28F064M29EWTA
表面贴装
-
-
-
TSOP
64Mbit
并行
48
4M x 16 位，8M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M, 8M
70ns
8/16Bit
18.4 x 12 x 1mm
12mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
¥23.79
IC Micron 存储器 FLASH 16MBIT 75MHZ 8UFDFPN
京电港自营
自营
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M25P16-VMC6TG TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
16Mb （2M x 8）
15ms，5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UFDFPN（MLP8）（4x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
京电港自营
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MT4HTF1664HY-40EB3
DDR2 SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
¥24.39
IC Micron 存储器 FLASH 8MBIT 75MHZ 8SO
京电港自营
自营
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M25P80-VMN6TP TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
8Mb （1M x 8）
15ms，5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
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MT9VDDT3272HY-40BG2
DDR SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
¥143.70
Micron JS28F128P33TF70A 闪存, 128Mbit (8M x 16 位), 并行接口, 70ns, 2.3 → 3.6 V, 56引脚 TSOP封装
京电港自营
新品 自营
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JS28F128P33TF70A
表面贴装
-
-
-
TSOP
128Mbit
并行
56
8M x 16 位
NOR
2.3 V
3.6 V
非对称
8M
70ns
16Bit
18.6 x 14.2 x 1.025mm
14.2mm
-40 °C
85 °C
18.6mm
1.03mm
-
-
¥34.95
IC Micron 存储器 FLASH 16MBIT 1108MHZ 8LBGA
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N25Q016A11E5140F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
16Mb （4M x 4）
8ms，1ms
-
SPI
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-XFBGA，CSPBGA
8-XFCSP（2x2.8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
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MT4HTF3264AY-667B1
DDR2 SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
240-UDIMM
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Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
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MT5VDDT3272HG-40BF2
DDR SDRAM
256MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
¥100.32
Micron JS28F256M29EWHA 闪存, 256Mbit (16M x 16 位，32M x 8 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚
京电港自营
新品 自营
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JS28F256M29EWHA
表面贴装
-
-
-
TSOP
256Mbit
并行
56
16M x 16 位，32M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M, 32M
110ns
8/16Bit
18.4 x 14 x 1mm
14mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
-
¥217.95
IC Micron 存储器 FLASH 256MBIT 710NS 56TSOP
京电港自营
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M29DW256G70NF6E
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （16M x 16）
70ns
70ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP（14x20）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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