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RAM 容量
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振荡器类型
工作温度
封装类型
原产地
达标情况
原厂标准交货期
DF2239FA16V
H8® H8S/2200
H8S/2000
16-位
16MHz
I²C,SCI,智能卡
DMA,POR,PWM,WDT
72
384KB(384K x 8)
闪存
-
32K x 8
A/D 8x10b;D/A 2x8b
内部
-20°C ~ 75°C(TA)
100-BFQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DF2117RVLP20DHV
H8® H8S/2100
H8S/2600
16-位
20MHz
FIFO,I²C,LPC,SCI,智能卡
POR,PWM,WDT
112
160KB(160K x 8)
闪存
-
8K x 8
A/D 16x10b
外部
-20°C ~ 75°C(TA)
145-TFLGA
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
M30626FHPFP#U9C
M16C™ M16C/60/62P
M16C/60
16-位
24MHz
I²C,IEBus,UART/USART
DMA,WDT
85
384KB(384K x 8)
闪存
-
31K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-20°C ~ 85°C(TA)
100-BQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
¥528.90
自营
R5S72625P144FP#UZ
SuperH® SH7260
SH2A-FPU
32-位
144MHz
CAN,I²C,SCI,SD,SIO,SPI,USB
DMA,POR,PWM,WDT
89
-
ROMless
-
640K x 8
A/D 4x10b
外部
-40°C ~ 85°C(TA)
176-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
M30624FGPFP#U9C
M16C™ M16C/60/62P
M16C/60
16-位
24MHz
I²C,IEBus,UART/USART
DMA,WDT
85
256KB(256K x 8)
闪存
-
20K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-20°C ~ 85°C(TA)
100-BQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
¥515.37
自营
R5S76700B200BG
SuperH® SH 以太网型
SH-2A
32-位
200MHz
EBI/EMI,以太网,I²C,主机接口,FIFO,SCI,SD,串行声音,流,USB
DMA,POR,PWM,WDT
86
-
ROMless
-
32K x 8
-
内部
-20°C ~ 70°C(TA)
256-FBGA
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
M30627FHPGP#U5C
M16C™ M16C/60/62P
M16C/60
16-位
24MHz
I²C,IEBus,UART/USART
DMA,WDT
111
384KB(384K x 8)
闪存
-
31K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-20°C ~ 85°C(TA)
128-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R5F61664RD50FPV
H8® H8SX/1600
H8SX
32-位
50MHz
EBI/EMI,I²C,IrDA,SCI,智能卡,USB
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
92
512KB(512K x 8)
闪存
-
40K x 8
A/D 8x10b;D/A 2x8b
外部
-40°C ~ 85°C(TA)
144-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
M30620FCPFP#U7C
M16C™ M16C/60/62P
M16C/60
16-位
24MHz
I²C,IEBus,UART/USART
DMA,WDT
85
128KB(128K x 8)
闪存
-
10K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
100-BQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
DF2145BTE20V
H8® H8S/2100
H8S/2000
16-位
20MHz
I²C,IrDA,SCI,X-Bus
PWM,WDT
74
256KB(256K x 8)
闪存
-
8K x 8
A/D 8x10b;D/A 2x8b
内部
-20°C ~ 75°C(TA)
100-TQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
M3062LFGPFP#U3C
M16C™ M16C/60/62P
M16C/60
16-位
20MHz
I²C,IEBus,UART/USART
DMA,WDT
85
256KB(256K x 8)
闪存
-
20K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
100-BQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
M30626FHPGP#U5C
M16C™ M16C/60/62P
M16C/60
16-位
24MHz
I²C,IEBus,UART/USART
DMA,WDT
85
384KB(384K x 8)
闪存
-
31K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-20°C ~ 85°C(TA)
100-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
DF2398F20V
H8® H8S/2300
H8S/2000
16-位
20MHz
SCI,智能卡
DMA,POR,PWM,WDT
87
256KB(256K x 8)
闪存
-
8K x 8
A/D 8x10b;D/A 2x8b
内部
-20°C ~ 75°C(TA)
128-BFQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
R5F64169DFB#UB
M16C/R32C/100/116
R32C/100
16/32-位
50MHz
EBI/EMI,I²C,IEBus,UART/USART
DMA,LVD,PWM,WDT
84
1MB(1M x 8)
闪存
-
63K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
100-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R5F3651TDFC#U0
M16C™ M16C/60/65
M16C/60
16-位
32MHz
EBI/EMI,I²C,SIO,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
111
768KB(768K x 8)
闪存
-
47K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
128-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R4F2153VBR25KDV
H8® H8S/2100
H8S/2600
16-位
25MHz
I²C,LPC,SCI
POR,PWM,WDT
53
512KB(512K x 8)
闪存
-
40K x 8
A/D 8x10b
外部
-40°C ~ 85°C(TA)
112-LFBGA
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
DF2318VTE25V
H8® H8S/2300
H8S/2000
16-位
25MHz
SCI,智能卡
POR,PWM,WDT
70
256KB(256K x 8)
闪存
-
8K x 8
A/D 8x10b;D/A 2x8b
内部
-20°C ~ 75°C(TA)
100-TQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
M3062LFGPGP#U9C
M16C™ M16C/60/62P
M16C/60
16-位
20MHz
I²C,IEBus,UART/USART
DMA,WDT
85
256KB(256K x 8)
闪存
-
20K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-20°C ~ 85°C(TA)
100-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R5F64176DFB#U0
M16C/R32C/100/117
R32C/100
16/32-位
50MHz
CAN,EBI/EMI,I²C,IEBus,UART/USART
DMA,LVD,PWM,WDT
84
512KB(512K x 8)
闪存
-
40K x 8
A/D 26x10b;D/A 2x8b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
100-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R5F563NEDDBG#U0
RX600
RX
32-位
100MHz
CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SCI,SPI,USB
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
133
2MB(2M x 8)
闪存
32K x 8
128K x 8
A/D 8x10b,21x12b,D/A 2x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
176-LFBGA
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
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