|
|
R5F5631BCDFP#V0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
78 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
128K x 8 |
A/D 8x10b，14x12b，D/A 1x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R4F24568NVRFQV |
H8® H8S/2400 |
H8S/2600 |
16-位 |
32MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，SCI，SSU，UART/USART，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
96 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
48K x 8 |
A/D 16x10b；D/A 2x8b |
外部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F5630ADDFB#V0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
117 |
768KB（768K x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
96K x 8 |
A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M30620SPFP#U5C |
M16C™ M16C/60/62P |
M16C/60 |
16-位 |
24MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
50 |
- |
ROMless |
- |
10K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
100-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F56218BDBG#U0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
126 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
96K x 8 |
A/D 8x10/12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
176-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF2317VTEBL25V |
H8® H8S/2300 |
H8S/2000 |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
POR，PWM，WDT |
70 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
100-TQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F5210BBDFP#30 |
RX200 |
RX |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，SCI，SPI |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
84 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
8K x 8 |
96K x 8 |
A/D 16x12b；D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF2215CUTE24V |
H8® H8S/2200 |
H8S/2000 |
16-位 |
24MHz |
SCI，智能卡，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
68 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 6x10b；D/A 2x8b |
外部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
120-TQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F56217BDLE#U0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
103 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 8x10/12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
145-TFLGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M30260F3AGP#U7A |
M16C™ M16C/微型/26A |
M16C/60 |
16-位 |
20MHz |
I²C，IEBus，SIO，UART/USART |
DMA，PWM，电压检测，WDT |
39 |
24KB（24K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 12x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F56218BDFP#V0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
72 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
96K x 8 |
A/D 8x10/12b，D/A 1x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF71243N50FPV#Z1 |
SuperH® SH 微型 |
SH-2 |
32-位 |
50MHz |
SCI |
POR，PWM，WDT |
23 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x10b |
外部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F5210BBDFB#30 |
RX200 |
RX |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，SCI，SPI |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
122 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
8K x 8 |
96K x 8 |
A/D 16x12b；D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F562N7BDLE#U0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
103 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 8x10/12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
145-TFLGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F52108BDFB#30 |
RX200 |
RX |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，SCI，SPI |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
122 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
8K x 8 |
64K x 8 |
A/D 16x12b；D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F36506DFA#U0 |
M16C™ M16C/60/65 |
M16C/60 |
16-位 |
32MHz |
EBI/EMI，I²C，SIO，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
85 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R7FS124773A01CNB#AC0 |
Synergy S1 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
CAN，I²C，SCI，SPI，UART/USART，USB |
POR，PWM，WDT |
51 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
16K x 8 |
A/D 18x14b，D/A 1x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-WFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
R5F100PJAFB#V0 |
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
82 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
20K x 8 |
A/D 20x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F51118ADFM#3A |
RX100 |
RX |
32-位 |
32MHz |
I²C，SCI，SPI，USB OTG |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
46 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
8K x 8 |
64K x 8 |
A/D 14x12b，D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F21194DD#V0 |
R8C/1x/19 |
R8C |
16-位 |
20MHz |
SIO，UART/USART |
LED，POR，电压检测，WDT |
13 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x1b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
20-SDIP（0.300"，7.62mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
