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DF61654W50FTV |
H8® H8SX/1600 |
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-40°C ~ 85°C（TA） |
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- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
H8SX |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SCI，智能卡，USB |
DMA，PWM，WDT |
75 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
40K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
外部 |
120-TQFP |
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M30873FHAGP#U3 |
M16C™ M32C/80/87 |
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-40°C ~ 85°C（TA） |
|
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|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
M32C/80 |
16/32-位 |
32MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
85 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
24K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-LQFP |
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|
M30876FJAGP#U5 |
M16C™ M32C/80/87 |
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-20°C ~ 85°C（TA） |
|
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|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
M32C/80 |
16/32-位 |
32MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
85 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
31K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-LQFP |
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|
R1LV1616RSD-7SI#S0 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM |
16Mb （2M x 8，1M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽） |
52-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
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R1LV1616RBG-7SR#S0 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM |
16Mb （1M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-FBGA（7.5x8.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
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R1LV1616RSD-5SI#S0 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM |
16Mb （2M x 8，1M x 16） |
55ns |
55ns |
并联 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽） |
52-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
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|
|
R1LV1616RBG-7SI#S0 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM |
16Mb （1M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-FBGA（7.5x8.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
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|
DF2676VFC33V |
H8® H8S/2600 |
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|
-20°C ~ 75°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
H8S/2600 |
16-位 |
33MHz |
IrDA，SCI |
DMA，POR，PWM，WDT |
103 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 12x10b；D/A 4x8b |
内部 |
144-LQFP |
|
|
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|
|
DF2238BTE13V |
H8® H8S/2200 |
|
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|
-20°C ~ 75°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
H8S/2000 |
16-位 |
13MHz |
I²C，SCI，智能卡 |
POR，PWM，WDT |
72 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-TQFP |
|
|
|
|
|
M30876FJBGP#U3 |
M16C™ M32C/80/87 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
M32C/80 |
16/32-位 |
32MHz |
EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
85 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
31K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-LQFP |
|
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|
|
M30626FHPFP#U7C |
M16C™ M16C/60/62P |
|
|
|
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|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
M16C/60 |
16-位 |
24MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
31K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-BQFP |
|
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|
|
M30626FJPGP#U3C |
M16C™ M16C/60/62P |
|
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|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
M16C/60 |
16-位 |
24MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
31K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-LQFP |
|
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|
DF2329BVTE25V |
H8® H8S/2300 |
|
|
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|
|
|
-20°C ~ 75°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
H8S/2000 |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，POR，PWM，WDT |
86 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
120-TQFP |
|
|
|
|
|
HD6417041AVF16V |
SuperH® SH7040 |
|
|
|
|
|
|
|
-20°C ~ 75°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
SH-2 |
32-位 |
28.7MHz |
SCI |
DMA，POR，PWM，WDT |
98 |
- |
ROMless |
- |
4K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
144-BFQFP |
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|
|
YRCNR7F0C3056-BE |
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- |
- |
- |
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开发套件 |
Renesas R7F0C3056 编程 |
2 个 10 引脚插头 |
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|
M30626FHPGP#U7C |
M16C™ M16C/60/62P |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
M16C/60 |
16-位 |
24MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
31K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-LQFP |
|
|
|
|
|
HD64F7047F50V |
SuperH® SH7047 |
|
|
|
|
|
|
|
-20°C ~ 75°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
SH-2 |
32-位 |
50MHz |
CAN，SCI |
POR，PWM，WDT |
53 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 16x10b |
内部 |
100-BFQFP |
|
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|
|
DF71374AD80FPV |
SuperH® SH7137 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
SH-2 |
32-位 |
80MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，SCI，SSU |
POR，PWM，WDT |
57 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 12x12b |
外部 |
100-LQFP |
|
|
|
|
|
DF2329BVF25V |
H8® H8S/2300 |
|
|
|
|
|
|
|
-20°C ~ 75°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
H8S/2000 |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，POR，PWM，WDT |
86 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
128-BFQFP |
|
|
|
|
|
DF2148ATE20IV |
H8® H8S/2100 |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
H8S/2000 |
16-位 |
20MHz |
主机接口，I²C，IrDA，SCI |
POR，PWM，WDT |
74 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
100-TQFP |
|
|
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