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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥53.25
自营
NTB35N15T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
37A(Ta)
10V
4V @ 250µA
100nC @ 10V
3200pF @ 25V
2W(Ta),178W(Tj)
50 毫欧 @ 18.5A,10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
2N7002KT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
320mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
350mW(Ta)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥5.37
自营
NTMD4184PFR2G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.3A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
4.2nC @ 4.5V
360pF @ 10V
770mW(Ta)
95 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5313DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114EPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
NPN
SMMBT3904LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
40V
200mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC144EPDXV6T1G
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
PNP
2N4918G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
1A
30W
-65°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 100mA,1A
500µA
30 @ 500mA,1V
3MHz
¥2.52
自营
NTJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.3A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1W(Ta)
60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥1.80
自营
NTNUS3171PZT5G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150mA(Ta)
1.2V,4.5V
1V @ 250µA
-
13pF @ 15V
125mW(Ta)
3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
表面贴装
SOT-1123
SOT-1123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.91
自营
MVMBF0201NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
225mW(Ta)
1 欧姆 @ 300mA,10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
4.7GHz
1.3W
90 @ 50mA,5V
150mA
NPN
2SC5347AE-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
150°C(TJ)
¥157.83
自营
NGTB40N120SWG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
37 周
沟道
1200V
80A
200A
2.4V @ 15V,40A
535W
3.4mJ(开),1.1mJ(关)
标准
116ns/286ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
NPN
MMBT3904LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
40V
200mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
385mW
-
MUN5312DW1T2G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN
2SD1048-7-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
15V
700mA
200mW
125°C(TJ)
80mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
200 @ 50mA,2V
250MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA123EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
BD135G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
45V
1.5A
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
-
PNP - 达林顿
MJ11015G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
120V
30A
200W
-55°C ~ 200°C(TJ)
4V @ 300mA,30A
1mA
1000 @ 20A,5V
4MHz
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