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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
工作温度
¥16.89
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA
京电港自营
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PNP - 达林顿
2N6035G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
4A
60V
3V @ 40mA，4A
100µA
750 @ 2A，3V
40W
-
-65°C ~ 150°C（TJ）
¥1.62
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
京电港自营
自营
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2 PNP（双）
NST857BDP6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
100mA
45V
700mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
350mW
100MHz
¥6.51
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC SOT23
京电港自营
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¥10.02
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5VWM 10VC DSN2
京电港自营
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¥128.07
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1700V 2.5A
京电港自营
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WPH4003-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tc）
10V
-
48nC @ 10V
850pF @ 30V
3W（Ta），55W（Tc）
10.5 欧姆 @ 1.5A，10V
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥2.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A UDFN
京电港自营
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NTLUS3A18PZTCG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.1A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
700mW（Ta）
18 毫欧 @ 7A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 7.5A ECH8
京电港自营
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ECH8315-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.5A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
18nC @ 10V
875pF @ 10V
1.5W（Ta）
25 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
SOT-28FL/ECH8
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.72
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
3 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5330DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5136DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC144EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 100MA 10V SMCP
京电港自营
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5.2GHz
100mW
110 @ 7mA，3V
100mA
NPN
2SC5374A-TL-E
-
表面贴装
SMCP
SC-75，SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C（TJ）
¥0.63
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
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PNP
BC857CWT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
100mA
45V
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
150mW
100MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥4.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 1A WDFN3
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PNP
NSS12100UW3TCG
-
表面贴装
3-WDFN（2x2）
3-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1A
12V
440mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
100 @ 500mA，2V
740mW
200MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥15.78
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 300V 1A TO220AB
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NPN
TIP48G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
1A
300V
1V @ 200mA，1A
1mA
30 @ 300mA，10V
2W
10MHz
-65°C ~ 150°C（TJ）
¥1.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 300V 0.5A SOT23
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PNP
SMMBTA92LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
500mA
300V
500mV @ 2mA，20mA
250nA（ICBO）
25 @ 30mA，10V
300mW
50MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥97.62
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 140V 15A TO-3
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NPN
MJ15001G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
15A
140V
1V @ 400mA，4A
250µA
25 @ 4A，2V
200W
2MHz
-65°C ~ 200°C（TJ）
¥7.59
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
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2 NPN（双）
NSV40301MDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
3A
40V
115mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
180 @ 2A，2V
653mW
100MHz
¥10.77
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5VWM 12.9VC SOD923
京电港自营
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¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 1A CPH3
京电港自营
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CPH3462-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
3.4nC @ 10V
155pF @ 20V
1W（Ta）
785 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥9.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 14.5A DPAK
京电港自营
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NTD4804NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
14.5A（Ta），124A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
40nC @ 4.5V
4490pF @ 12V
1.43W（Ta），107W（Tc）
4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周

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