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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
工作温度
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
京电港自营
自营
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1 NPN 预偏压式，1 PNP
50V
80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
500nA
140MHz
250mW
-
NSTB60BDW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
京电港自营
自营
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NPN
MMBT5551M3T5G
-
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60mA
160V
200mV @ 5mA，50mA
50nA
80 @ 10mA，5V
265mW
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 0.5A SOT23
京电港自营
自营
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NPN
MMBTA05LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
500mA
60V
250mV @ 10mA，100mA
100nA
100 @ 100mA，1V
225mW
100MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
35 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
150mW
-
UMC3NT1G
-
SC-88A（SC-70-5 / SOT-353）
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 0.05A SOT23
京电港自营
自营
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PNP
MMBT5087LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
50mA
50V
300mV @ 1mA，10mA
50nA（ICBO）
250 @ 100µA，5V
300mW
40MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
京电港自营
自营
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PNP
BCX17LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
500mA
45V
620mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
100 @ 100mA，1V
300mW
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23
京电港自营
自营
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PNP - 达林顿
MMBTA64LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
500mA
30V
1.5V @ 100µA，100mA
100nA（ICBO）
20000 @ 100mA，5V
225mW
125MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23
京电港自营
自营
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NPN
BSS64LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100mA
80V
200mV @ 15mA，50mA
100nA（ICBO）
20 @ 10mA，1V
225mW
60MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
MBT3904DW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
200mA
40V
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
150mW
300MHz
¥0.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 500MA SOT-23
京电港自营
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NTR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
15 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5132DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.5A SOT23
京电港自营
自营
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PNP
MMBTA55LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
500mA
60V
250mV @ 10mA，100mA
100nA
100 @ 100mA，1V
225mW
50MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.87
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23
京电港自营
自营
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PNP
BSS63LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100mA
100V
250mV @ 2.5mA，25mA
100nA（ICBO）
30 @ 25mA，1V
225mW
95MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.87
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
京电港自营
自营
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NPN，PNP
SHN1B01FDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
200mA
50V
250mV @ 10mA，100mA
2µA
200 @ 2mA，6V
380mW
-
¥0.87
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT-723
京电港自营
自营
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650MHz
265mW
60 @ 4mA，10V
-
NPN
MMBTH10M3T5G
-
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.90
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT-963
京电港自营
自营
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2 PNP（双）
NST3906DP6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
200mA
40V
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
350mW
250MHz
¥0.90
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
京电港自营
自营
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650MHz
225mW
60 @ 4mA，10V
-
NPN
MMBTH10LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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NPN，PNP
BC847BPDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
100mA
45V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363
京电港自营
自营
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NPN，PNP
MBT3946DW1T2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
200mA
40V
300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
150mW
300MHz，250MHz
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
京电港自营
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2 PNP（双）
BC857BDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
100mA
45V
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
380mW
100MHz

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