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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
工作温度
¥0.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 0.196A SOT23
京电港自营
自营
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NTR5105PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
196mA（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
1nC @ 5V
30.3pF @ 25V
347mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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2 PNP（双）
BC856BDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
100mA
65V
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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NPN，PNP
BC847BPDW1T2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
100mA
45V
600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
BC847BDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
100mA
45V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
BC846BDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
100mA
65V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363
京电港自营
自营
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NPN，PNP
UMZ1NT1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
200mA
50V
250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA
2µA
200 @ 2mA，6V
250mW
114MHz，142MHz
¥0.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 310MA SOT323
京电港自营
自营
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2N7002WT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
310mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW（Tj）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 300V 0.15A SOT-323
京电港自营
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NPN
MSD42WT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
150mA
300V
500mV @ 2mA，20mA
100nA（ICBO）
40 @ 30mA，10V
150mW
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 0.1A SOT23
京电港自营
自营
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NPN
MMBT2484LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100mA
60V
350mV @ 100µA，1mA
10nA（ICBO）
250 @ 1mA，5V
225mW
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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NPN，PNP
BC846BPDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
100mA
65V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
¥0.96
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
京电港自营
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NPN
MMBT8099LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
500mA
80V
400mV @ 5mA，100mA
100nA
100 @ 1mA，5V
225mW
150MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.96
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23
京电港自营
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800MHz
225mW
120 @ 4mA，10V
-
NPN
MMBTH10-4LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.96
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
京电港自营
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NPN，PNP
HN1B01FDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
200mA
50V
250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA
2µA
200 @ 2mA，6V
380mW
-
¥0.99
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5213DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.99
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
35 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5211DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.99
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
35 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5111DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.99
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
15 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5232DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 50V 200MA SOT-23
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BSS138LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
200mA（Ta）
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥0.99
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5312DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥1.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
京电港自营
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2V7002LT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
115mA（Tc）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周

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