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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
工作温度
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
产品系列
不同 Vr,F 时的电容
电容比
电容比条件
最大峰值反向电压
二极管类型
不同 Vr,F 时的 Q 值
供应商器件封装
封装类型
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
封装/外壳
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
二极管配置
最大调节器电流
每片芯片元件数目
最大峰值工作电压
最大限制电压
尺寸
最高工作温度
最低工作温度
额定电流
栅极触发电流
反向电压
电流额定值
栅极触发电压
阻断电压
保持电流
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
最大发射极基极电压
预计寿命
RoHS达标情况
¥102.36
自营
299-43-308-10-001000
299
DIP,0.3"(7.62mm)行间距
8(2 x 4)
0.100"(2.54mm)
30µin(0.76µm)
铜铍
通孔,直角,水平
封闭框架
焊接
0.100"(2.54mm)
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
-55°C ~ 125°C
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
SMV2025-040LF
表面贴装
-55°C ~ 175°C(TJ)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
1.25pF @ 18V,1MHz
2.2
C2/C10
20V
单一
-
SOD-882
SOD-882
AUIRG4BC30U-S
表面贴装
-
D2PAK (TO-263)
23 A
±20V
-
100 W
N
3
30kHz
10.67mm
9.65mm
4.83mm
¥46.08
自营
114-87-632-41-134161
114
DIP,0.6"(15.24mm)行间距
32(2 x 16)
0.100"(2.54mm)
闪存
铜铍
表面贴装
开放框架
焊接
0.100"(2.54mm)
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯,玻璃纤维增强型
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥16.20
自营
NTB5605PT4G
-
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
D2PAK
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
18.5A(Ta)
5V
2V @ 250µA
22nC @ 5V
1190pF @ 25V
88W(Tc)
140 毫欧 @ 8.5A,5V
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
LM334Z/NOPB
通孔
-
TO-92
3
5.2mm
5.2mm
单路
-
1
40V
-
5.2 x 4.19 x 5.2mm
70 °C
0 °C
NPN
DDTC114YCA-7-F
表面贴装
-
SOT-23
70 mA
200 mW
3
3mm
1.4mm
1.1mm
1
3 x 1.4 x 1.1mm
150 °C
-55 °C
10 kΩ
68
0.21,1
¥6.48
自营
NTLUS3A40PZTAG
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
6-UDFN(2x2)
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
29nC @ 4.5V
2600pF @ 15V
700mW(Ta)
29 毫欧 @ 6.4A,4.5V
6-UDFN 裸露焊盘
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA123JDP6T5G
-
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
SOT-963
SOT-963
BTB12-600B
通孔
-
TO-220AB
3
10.3mm
4.7mm
9.4mm
10.3 x 4.7 x 9.4mm
8A
70mA
800V
71A
1.5V
800V
20mA
NPN
PUMH10
表面贴装
-
SOT-363 (SC-88)
100 mA
6
隔离式
2.2mm
1.35mm
1mm
2
2.2 x 1.35 x 1mm
150 °C
-65 °C
2.2 kΩ
100
0.047
¥4.92
自营
SVD14N03RT4G
-
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
DPAK
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5114DW1T1
-
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
BT136X-600D,127
通孔
-
TO-220AB
3
10.3mm
4.7mm
16mm
10.3 x 4.7 x 16mm
20A
25mA
800V
170A
1V
800V
45mA
NPN
DMC564070R
表面贴装
-
SMini6 F3 B
100 mA
150 mW
6
隔离式
2mm
1.25mm
0.6mm
2
2 x 1.25 x 0.6mm
150 °C
22 kΩ
160
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5311DW1T1G
-
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
NPN
MMBTA06WT1G
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
500mA
80V
250mV @ 10mA,100mA
100nA
100 @ 100mA,1V
150mW
100MHz
NPN
PDTC115TE,115
表面贴装
-
SOT-416
100 mA
150 mW
3
1.8mm
0.9mm
0.85mm
1
1.8 x 0.9 x 0.85mm
150 °C
-65 °C
100 kΩ
100
NPN
2SC5706-TL-H
-
表面贴装
150°C(TJ)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
2-TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
5A
50V
240mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 500mA,2V
800mW
400MHz
BDW93CFP
通孔
-
TO-220FP
15 A
33 W
3
10.4 mm
4.6 mm
16.4 mm
10.4 x 4.6 x 16.4 mm
150 °C
-65 °C
1
-
-
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