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9.78
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 24VWM 44VC SC74-6
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31.77
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 20POS TIN
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187.41
Infineon IKW40N120H3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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87.36
Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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10.26
Preci-Dip IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 8POS GOLD
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231.09
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN SOCKET SIP 64POS GOLD
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118.38
STMicroelectronics STGW30NC60KD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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14.82
Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
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134.82
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 8POS GOLD
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0.75
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V .115A
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0.99
Fairchild 1N4148WT 开关二极管, Iout=300mA, Vrev=75V, 最大为 1频率范围, 2引脚 SOD-523封装
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5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 0.224A XLLGA3
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0.87
DiodesZetex B140-13-F 肖特基 二极管, Io=1A, Vrev=40V, 2引脚 DO-214AC (SMA)封装
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1.53
Infineon BB639E7904 30V 36pF 变容管, 最小调谐比: 13.5 VHF, 2引脚 SOD-323封装, 使用于调谐器
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3.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 250V 0.35A CPH3
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0.00
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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129.42
STMicroelectronics BTA40-600B 三端双向可控硅开关元件, 40A额定, 600V峰值, 100mA 1.3V触发, 3引脚
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0.30
新产品DiodesZetex DDTA124ECA-7-F 数字晶体管
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32.01
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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0.51
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 30V 0.6A SOT23
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产品图片
产品详情
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
工作温度
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
供应商器件封装
封装/外壳
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
二极管配置
最大正向电流
每片芯片元件数目
最大反向电压
二极管技术
最大正向电压降
最大二极管电容值
最低工作温度
最高工作温度
最大连续正向电流
整流器类型
峰值反向重复电压
二极管类型
峰值正向电压
额定电流
栅极触发电流
反向电压
电流额定值
栅极触发电压
阻断电压
保持电流
尺寸
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
调谐比测试条件
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9.78
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9.78
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 24VWM 44VC SC74-6
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型号
110-44-320-41-001000
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31.77
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 20POS TIN
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110-44-320-41-001000
110
DIP,0.3"(7.62mm)行间距
20(2 x 10)
0.100"(2.54mm)
锡
100µin(2.54µm)
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"(2.54mm)
锡
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
-55°C ~ 125°C
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
187.41
另提供行业标准包装
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型号
IKW40N120H3
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187.41
Infineon IKW40N120H3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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IKW40N120H3
通孔
-
80 A
±20V
-
483 W
TO-247
N
3
-
单
16.03mm
5.16mm
21.1mm
¥
87.36
另提供行业标准包装
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型号
FGA50N100BNTDTU
¥
87.36
Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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FGA50N100BNTDTU
通孔
-
50 A
±25V
-
63 W
TO-3P
N
3
1MHz
单
15.8mm
5mm
20.1mm
¥
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另提供行业标准包装
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型号
116-87-308-41-018101
¥
10.26
Preci-Dip IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 8POS GOLD
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116-87-308-41-018101
116
DIP,0.3"(7.62mm)行间距
8(2 x 4)
0.100"(2.54mm)
金
闪存
铜铍
通孔
高架,开放框架
焊接
0.100"(2.54mm)
锡
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯,玻璃纤维增强型
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥
231.09
另提供行业标准包装
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型号
346-43-164-41-013000
¥
231.09
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN SOCKET SIP 64POS GOLD
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346-43-164-41-013000
346
SIP
64(1 x 64)
0.100"(2.54mm)
金
30µin(0.76µm)
铜铍
通孔
-
压配式
0.100"(2.54mm)
锡
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
-55°C ~ 125°C
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
118.38
另提供行业标准包装
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型号
STGW30NC60KD
¥
118.38
STMicroelectronics STGW30NC60KD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW30NC60KD
通孔
-
60 A
±20V
-
200 W
TO-247
N
3
-
单
15.75mm
5.15mm
24.45mm
¥
14.82
另提供行业标准包装
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型号
IRGS4607DPBF
¥
14.82
Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
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IRGS4607DPBF
表面贴装
-
11 A
±20V
-
58 W
D2PAK
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
¥
134.82
另提供行业标准包装
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型号
299-43-608-10-002000
¥
134.82
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 8POS GOLD
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299-43-608-10-002000
299
DIP,0.6"(15.24mm)行间距
8(2 x 4)
0.100"(2.54mm)
金
30µin(0.76µm)
铜铍
通孔,直角,水平
封闭框架
焊接
0.100"(2.54mm)
锡
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
-55°C ~ 125°C
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
0.75
另提供行业标准包装
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型号
2V7002LT3G
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0.75
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V .115A
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2V7002LT3G
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
115mA(Tc)
5V,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥
0.99
另提供行业标准包装
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型号
1N4148WT
¥
0.99
Fairchild 1N4148WT 开关二极管, Iout=300mA, Vrev=75V, 最大为 1频率范围, 2引脚 SOD-523封装
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1N4148WT
表面贴装
-
SOD-523
2
1.3mm
0.9mm
单路
300mA
1
75V
硅结型
1V
4pF
-55 °C
150 °C
¥
5.04
另提供行业标准包装
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型号
NTNS3190NZT5G
¥
5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 0.224A XLLGA3
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NTNS3190NZT5G
-
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
224mA(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
15.8pF @ 15V
120mW(Ta)
1.4 欧姆 @ 100mA,4.5V
3-XLLGA(0.62x0.62)
3-XFDFN
¥
0.87
另提供行业标准包装
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型号
B140-13-F
¥
0.87
DiodesZetex B140-13-F 肖特基 二极管, Io=1A, Vrev=40V, 2引脚 DO-214AC (SMA)封装
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B140-13-F
表面贴装
-
DO-214AC (SMA)
2
4.6mm
2.92mm
单路
1
肖特基
500mV
1A
-
40V
肖特基
-
¥
1.53
另提供行业标准包装
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型号
BB639E7904
¥
1.53
Infineon BB639E7904 30V 36pF 变容管, 最小调谐比: 13.5 VHF, 2引脚 SOD-323封装, 使用于调谐器
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BB639E7904
表面贴装
-
SOD-323
2
1.7mm
1.25mm
1.05mm
单路
1
-55 °C
150 °C
1.7 x 1.25 x 1.05mm
1 → 28V
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3.24
另提供行业标准包装
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型号
CPH3461-TL-W
¥
3.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 250V 0.35A CPH3
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CPH3461-TL-W
-
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
350mA(Ta)
2.5V,4.5V
1.3V @ 1mA
2.1nC @ 4.5V
140pF @ 20V
1W(Ta)
6.5 欧姆 @ 170mA,4.5V
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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0.00
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NSBC143TDXV6T1
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
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500mW
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NSBC143TDXV6T1
-
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-563
SOT-563,SOT-666
¥
129.42
另提供行业标准包装
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型号
BTA40-600B
¥
129.42
STMicroelectronics BTA40-600B 三端双向可控硅开关元件, 40A额定, 600V峰值, 100mA 1.3V触发, 3引脚
京电港自营
自营
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BTA40-600B
通孔
-
TO-220AB
3
10.3mm
4.7mm
9.4mm
8A
70mA
800V
71A
1.5V
800V
20mA
10.3 x 4.7 x 9.4mm
¥
0.30
另提供行业标准包装
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型号
DDTA124ECA-7-F
¥
0.30
新产品DiodesZetex DDTA124ECA-7-F 数字晶体管
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新品
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暂时缺货
PNP
DDTA124ECA-7-F
表面贴装
-
200 mW
SOT-23
3
单
3mm
1.4mm
1mm
1
-55 °C
150 °C
3 x 1.4 x 1mm
22 kΩ
56
1
¥
32.01
另提供行业标准包装
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型号
NGTG15N60S1EG
¥
32.01
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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NGTG15N60S1EG
-
通孔
-55°C ~ 150°C(TJ)
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
TO-220
TO-220-3
NPT
600V
30A
120A
1.7V @ 15V,15A
117W
550µJ(开),350µJ(关)
标准
65ns/170ns
400V,15A,22 欧姆,15V
¥
0.51
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型号
MMBT2222LT1G
¥
0.51
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 30V 0.6A SOT23
京电港自营
自营
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NPN
MMBT2222LT1G
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30V
600mA
300mW
1.6V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
250MHz
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