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26.37
Infineon IRGB4610DPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
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9.54
Preci-Dip IC的插座,晶体管 CONN TRANSIST TO-5 3POS GOLD
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183.06
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 20POS GOLD
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170.70
Infineon IRGPS40B120UPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-274AA封装
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65.85
Toshiba GT50NR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1050 V, 0.45μs, 3引脚 TO-3P封装
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129.42
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 28POS GOLD
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3.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 25V 2.5A DPAK
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1.17
Diodes Inc 1N4148WS-7-F 开关二极管, Iout=150mA, Vrev=75V, 2引脚 SOD-323封装
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0.00
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 25V 9.2A DPAK
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2.46
ON Semiconductor MRA4007T3G 开关 二极管, Io=1A, Vrev=1000V, 2引脚 DO-214AC (SMA)封装
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2.91
Toshiba 1SV305,H3F(T 10V 5.3pF 变容管 1 至 470MHz, 2引脚 1-1G1A封装, 使用于VHF 频段无线电
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3.15
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A MCPH6
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0.00
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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10.05
NXP BT136-600D,127 三端双向可控硅开关元件, 4A额定, 600V峰值, 10mA 1.5V触发, 3引脚 TO-220AB封装
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0.45
ON Semiconductor DTC124EET1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416 (SC-75)封装
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169.08
650V/60A AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT FSII
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0.42
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
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36.51
STMicroelectronics T2535-600G 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 600V峰值, 35mA 1.3V触发, 3引脚
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2817.45
新产品Nexperia PEMB10,115 双 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:21, 6引脚 SOT封装
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2.40
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 300V 0.1A SOT-223
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产品图片
产品详情
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
工作温度
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
供应商器件封装
封装/外壳
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
二极管配置
最大正向电流
每片芯片元件数目
最大反向电压
二极管技术
最大正向电压降
最大二极管电容值
最低工作温度
最高工作温度
最大连续正向电流
整流器类型
峰值反向重复电压
二极管类型
峰值正向电压
额定电流
栅极触发电流
反向电压
电流额定值
栅极触发电压
阻断电压
保持电流
尺寸
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
调谐比测试条件
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26.37
另提供行业标准包装
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型号
IRGB4610DPBF
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26.37
Infineon IRGB4610DPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
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IRGB4610DPBF
通孔
-
16 A
±20V
-
77 W
TO-220AB
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
4.83mm
16.51mm
¥
9.54
另提供行业标准包装
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型号
917-83-103-41-053101
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9.54
Preci-Dip IC的插座,晶体管 CONN TRANSIST TO-5 3POS GOLD
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917-83-103-41-053101
917
晶体管,TO-5
3(圆形)
-
金
29.5µin(0.75µm)
铜铍
通孔
-
焊接
-
锡
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯,玻璃纤维增强型
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥
183.06
另提供行业标准包装
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型号
299-43-320-10-001000
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183.06
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 20POS GOLD
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299-43-320-10-001000
299
DIP,0.3"(7.62mm)行间距
20(2 x 10)
0.100"(2.54mm)
金
30µin(0.76µm)
铜铍
通孔,直角,水平
封闭框架
焊接
0.100"(2.54mm)
锡
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
-55°C ~ 125°C
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
170.70
另提供行业标准包装
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型号
IRGPS40B120UPBF
¥
170.70
Infineon IRGPS40B120UPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-274AA封装
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IRGPS40B120UPBF
通孔
-
80 A
±20V
-
-
TO-274AA
N
3
-
单
15.6mm
5mm
20.3mm
¥
65.85
另提供行业标准包装
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型号
GT50NR21,Q(O
¥
65.85
Toshiba GT50NR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1050 V, 0.45μs, 3引脚 TO-3P封装
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GT50NR21,Q(O
通孔
-
50 A
±25V
-
230 W
TO-3P
N
3
0.45µs
单
15.5mm
4.5mm
20mm
¥
129.42
另提供行业标准包装
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型号
110-93-628-41-801000
¥
129.42
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 28POS GOLD
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110-93-628-41-801000
110
DIP,0.6"(15.24mm)行间距
28(2 x 14)
0.100"(2.54mm)
金
30µin(0.76µm)
铜铍
通孔
开放框架,去耦电容器
焊接
0.100"(2.54mm)
锡 - 铅
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
-55°C ~ 125°C
管件
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
3.24
另提供行业标准包装
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型号
NTD14N03RT4G
¥
3.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 25V 2.5A DPAK
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NTD14N03RT4G
-
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
¥
1.17
另提供行业标准包装
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型号
1N4148WS-7-F
¥
1.17
Diodes Inc 1N4148WS-7-F 开关二极管, Iout=150mA, Vrev=75V, 2引脚 SOD-323封装
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1N4148WS-7-F
表面贴装
-
SOD-323
2
-
-
单路
150mA
1
75V
硅结型
1.25V
-
-
-
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
NTD4863NT4G
询价
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 25V 9.2A DPAK
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NTD4863NT4G
-
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.2A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
13.5nC @ 4.5V
990pF @ 12V
1.27W(Ta),36.6W(Tc)
9.3 毫欧 @ 30A,10V
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
¥
2.46
另提供行业标准包装
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型号
MRA4007T3G
¥
2.46
ON Semiconductor MRA4007T3G 开关 二极管, Io=1A, Vrev=1000V, 2引脚 DO-214AC (SMA)封装
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MRA4007T3G
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-
DO-214AC (SMA)
2
4.32mm
2.6mm
单路
1
硅结型
1.18V
1A
切换
1000V
硅结型
-
¥
2.91
另提供行业标准包装
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型号
1SV305,H3F(T
¥
2.91
Toshiba 1SV305,H3F(T 10V 5.3pF 变容管 1 至 470MHz, 2引脚 1-1G1A封装, 使用于VHF 频段无线电
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1SV305,H3F(T
表面贴装
-
1-1G1A
2
1.2mm
0.8mm
0.6mm
单路
1
125 °C
1.2 x 0.8 x 0.6mm
1 → 4V
¥
3.15
另提供行业标准包装
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型号
MCH6320-TL-W
¥
3.15
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A MCPH6
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MCH6320-TL-W
-
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.5W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
MUN5137DW1T1
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5137DW1T1
-
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
¥
10.05
另提供行业标准包装
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型号
BT136-600D,127
¥
10.05
NXP BT136-600D,127 三端双向可控硅开关元件, 4A额定, 600V峰值, 10mA 1.5V触发, 3引脚 TO-220AB封装
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BT136-600D,127
通孔
-
TO-220AB
3
10.3mm
4.7mm
9.4mm
8A
70mA
800V
71A
1.5V
800V
20mA
10.3 x 4.7 x 9.4mm
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0.45
另提供行业标准包装
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型号
DTC124EET1G
¥
0.45
ON Semiconductor DTC124EET1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416 (SC-75)封装
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NPN
DTC124EET1G
表面贴装
-
100 mA
300 mW
SOT-416 (SC-75)
3
单
1.65mm
0.9mm
0.8mm
1
-55 °C
150 °C
1.65 x 0.9 x 0.8mm
22 kΩ
60
1
¥
169.08
另提供行业标准包装
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型号
NGTB60N65FL2WG
¥
169.08
650V/60A AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT FSII
京电港自营
自营
对比
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NGTB60N65FL2WG
-
通孔
-55°C ~ 175°C(TJ)
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
TO-247-3
TO-247-3
场截止
650V
100A
240A
2V @ 15V,60A
595W
1.59mJ(开),660µJ(关)
标准
117ns/265ns
400V,60A,10 欧姆,15V
¥
0.42
另提供行业标准包装
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型号
MMBT2907ALT1G
¥
0.42
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
京电港自营
自营
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PNP
MMBT2907ALT1G
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
60V
600mA
300mW
1.6V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
200MHz
¥
36.51
另提供行业标准包装
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型号
T2535-600G
¥
36.51
STMicroelectronics T2535-600G 三端双向可控硅开关元件, 25A额定, 600V峰值, 35mA 1.3V触发, 3引脚
京电港自营
自营
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T2535-600G
通孔
-
TO-220AB
3
10.3mm
4.7mm
16mm
20A
25mA
800V
170A
1V
800V
45mA
10.3 x 4.7 x 16mm
¥
2817.45
另提供行业标准包装
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型号
PEMB10,115
¥
2817.45
新产品Nexperia PEMB10,115 双 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:21, 6引脚 SOT封装
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暂时缺货
PNP
PEMB10,115
表面贴装
-
-100 mA
200(每个晶体管)mW,300(每个设备)mW
SOT
6
1.7mm
1.3mm
0.6mm
2
-65 °C
150 °C
1.7 x 1.3 x 0.6mm
2.2 kΩ
100
21
¥
2.40
另提供行业标准包装
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型号
BSP16T1G
¥
2.40
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 300V 0.1A SOT-223
京电港自营
自营
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PNP
BSP16T1G
-
表面贴装
-65°C ~ 150°C(TJ)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
300V
100mA
1.5W
2V @ 5mA,50mA
50µA
30 @ 50mA,10V
15MHz
首页
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