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¥19.98
DATA FLASH
京电港自营
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AT45DB081D-SU SL955-AD
非易失
闪存
FLASH
8Mb （256 字节 x 4096 页）
4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥20.04
Adesto 存储器 IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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RM24C512C-LSNI-B
非易失
EEPROM
EEPROM
512kb（128B 页大小）
100µs，5ms
-
I²C
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥20.04
Adesto 存储器 IC FLASH 2MBIT 70MHZ 8DFN
京电港自营
自营
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AT25XV021A-MAHV-T
非易失
闪存
FLASH
2Mb （256K x 8）
8µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UDFN（2x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥20.16
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8TSSOP
京电港自营
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AT25XV041B-XMHV-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
8µs，2.75ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
8-TSSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥20.22
4MBIT,8-TSSOP,1.65-3.6V,T
京电港自营
自营
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AT25DF041B-XMHN-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
8µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
8-TSSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥20.25
Adesto 存储器 IC EEPROM 128KBIT 1MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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RM24C128DS-LSNI-B
非易失
EEPROM
EEPROM
128kb（64B 页面尺寸）
100µs，5ms
-
I²C
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥20.55
Adesto Technologies AT45DB041E-SHN-B 闪存, 4194304bit (2048 页 x 256 字节), SPI接口, 7ns, 1.65 → 3.6 V
京电港自营
新品 自营
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AT45DB041E-SHN-B
表面贴装
-
-
-
4194304Bit
SPI
SOIC
8
2048 页 x 256 字节
1.65 V
3.6 V
7ns
2048
5.4 x 5.35 x 1.91mm
5.35mm
-40 °C
85 °C
5.4mm
1.91mm
-
-
¥20.61
Adesto Technologies AT45DB041E-SSHN2B-B 闪存, 4194304bit (2048 页 x 256 字节), SPI接口, 7ns, 1.65 → 3.6 V
京电港自营
新品 自营
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AT45DB041E-SSHN2B-B
表面贴装
-
-
-
4194304Bit
SPI
SOIC
8
2048 页 x 256 字节
1.65 V
3.6 V
7ns
2048
5.05 x 3.99 x 1.5mm
3.99mm
-40 °C
85 °C
5.05mm
1.5mm
-
-
¥20.91
Adesto 存储器 IC FLASH 16MBIT 100MHZ 8SOIC
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AT25DL161-SSHN-T
非易失
闪存
FLASH
16Mb （256 字节 x 8192 页）
8µs，3ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥20.91
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC
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AT25DF041B-SSHNHR-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
8µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 125°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥21.12
Adesto 存储器 IC FLASH 2MBIT 70MHZ 8DFN
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AT25XV021A-MHV-T
非易失
闪存
FLASH
2Mb （256K x 8）
8µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥21.12
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8UDFN
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AT25DF041B-MAHNHR-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
8µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 125°C（TC）
表面贴装
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UDFN（2x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥21.24
2MBIT,5X6MM UDFN, 1.65-3.6V, T
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AT25DF021A-MHN-T
非易失
闪存
FLASH
2Mb （256K x 8）
8µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥21.27
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC
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AT45DB041E-SSHNHC-T
非易失
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FLASH
4Mb （264 字节 x 2048 页）
8µs，3ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥21.27
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC
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AT45DB041E-SSHNHA-T
非易失
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FLASH
4Mb （264 字节 x 2048 页）
8µs，3ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥21.42
Adesto 存储器 IC EEPROM 256KBIT 1MHZ 8SOIC
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RM24C256DS-LSNI-B
非易失
EEPROM
EEPROM
256kb（64B 页大小）
100µs，2.5ms
-
I²C
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥22.20
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8UDFN
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AT25XE041B-MHN-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
8µs，2.75ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥22.41
Adesto 存储器 4MBIT,5X6MM UDFN, 1.65-3.6V, T
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AT25DF041B-MHN-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
8µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥22.56
Adesto 存储器 IC EEPROM 512KBIT 20MHZ 8TSSOP
京电港自营
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RM25C512C-LTAI-B
非易失
EEPROM
EEPROM
512kb（128B 页大小）
100µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
8-TSSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥22.83
Adesto 存储器 IC EEPROM 64KBIT 10MHZ 8SOIC
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RM25C64DS-LSNI-B
非易失
EEPROM
EEPROM
64kb（32B 页面尺寸）
100µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周

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