|
|
CY8C4014SXI-421T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
13 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
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|
CY8C24223A-24SXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
16 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b；D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
20-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
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|
CY8C4247AZI-M485 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
CAN，I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
掉电检测/复位，电容感应，LCD，LVD，POR，PWM，智能检测，WDT |
51 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
64-TQFP（10x10） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
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|
CY8C21634-24LTXI |
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|
QFN |
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|
- |
- |
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32 |
|
表面贴装 |
|
|
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|
5 x 5 x 0.88mm |
|
-40°C |
85°C |
5mm |
|
|
- |
|
微处理器 |
电容式传感 |
CMOS |
5.25 V |
2.4 V |
|
|
CY8C3446LTI-085 |
8051 |
8-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
68-VFQFN 裸露焊盘 |
68-QFN（8x8） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
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|
CY8C21323-24PVXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
16 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 8x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
20-SSOP |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
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|
S6E1C11C0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，I²C，LIN，智能卡，UART/USART |
I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
48-LQFP（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
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|
|
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|
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|
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|
|
CY8C21534B-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
24 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 28x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
CY8C21434-24LTXI |
|
|
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|
QFN |
|
|
- |
- |
|
|
32 |
|
表面贴装 |
|
|
|
|
|
5 x 5 x 0.85mm |
|
-40 °C |
85 °C |
5mm |
|
|
- |
|
微处理器 |
汽车，电容性感应，控制器，嵌入式，闪存，LED，PSoC 1 混合信号阵列，USB |
CMOS |
5.25 V |
2.4 V |
|
|
CY8C28433-24PVXI |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SSOP |
|
|
- |
- |
|
|
28 |
|
表面贴装 |
|
|
|
|
|
10.4 x 5.6 x 1.85mm |
|
-40°C |
85°C |
10.4mm |
|
|
- |
|
微控制器 |
|
CMOS |
5.25 V |
3 V |
|
|
CY8C22345-24PVXA |
M8C |
8-位 |
24MHz |
SPI，UART/USART |
LVD，POR，PWM，WDT |
24 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 3x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MB95F262KPF-G-SNE2 |
F²MC-8FX |
8-位 |
16MHz |
LIN，SIO，UART/USART |
LVD，POR，PWM，WDT |
16 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
240 x 8 |
A/D 6x8/10b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
20-SOP |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C28445-24PVXI |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SSOP |
|
|
- |
- |
|
|
28 |
|
表面贴装 |
|
|
|
|
|
10.4 x 5.6 x 1.85mm |
|
-40°C |
85°C |
10.4mm |
|
|
- |
|
微控制器 |
|
CMOS |
5.25 V |
3 V |
|
|
CY8C28413-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
SPI，UART/USART |
LVD，POR，PWM，WDT |
24 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x14b；D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY8C5868AXI-LP035 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
67MHz |
I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
62 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
64K x 8 |
A/D 1x20b，2x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
100-TQFP（14x14） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
S29GL256P10FFI020 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
FPBGA |
|
|
- |
- |
256Mbit |
CFI |
64 |
256M x 1 位 |
表面贴装 |
2.7 V |
3.6 V |
256M |
110ns |
1 |
13 x 11 x 1mm |
11mm |
-40 °C |
85 °C |
13mm |
1mm |
- |
- |
- |
|
|
|
|
|
|
|
CY8C24423A-24LTXI |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
QFN |
|
|
- |
- |
|
|
32 |
|
表面贴装 |
|
|
|
|
|
5 x 5 x 0.88mm |
|
-40 °C |
85 °C |
5mm |
|
|
- |
|
微处理器 |
|
CMOS |
5.25 V |
2.4 V |
|
|
CY7C60413-16LKXC |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
13 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 1x10b |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
16-UFQFN |
16-QFN（3x3） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
9 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
S6E2H46G0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
100 |
544KB（544K x 8） |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
120-LQFP |
120-LQFP（16x16） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
CY8C3666LTI-203 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
QFN |
|
|
- |
- |
|
|
68 |
|
表面贴装 |
|
|
|
|
|
8 x 8 x 0.95mm |
|
-40 °C |
85 °C |
8mm |
|
|
- |
|
微控制器 |
嵌入式 |
CMOS |
5.5 V |
1.71 V |
