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MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT4HTF1664HY-53EB2
DDR2 SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
200-SODIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT4VDDT3264HG-335F2
DDR SDRAM
256MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
¥157.62
Micron N25Q512A11GSF40G 闪存, 512Mbit (4M x 128 位), SPI接口, 5ns, 1.7 → 2 V, 16引脚 SOP封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
N25Q512A11GSF40G
表面贴装
-
-
-
SOP
512Mbit
SPI
16
4M x 128 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
4M
5ns
128Bit
10.3 x 7.5 x 2.5mm
7.5mm
-40 °C
85 °C
10.3mm
2.5mm
-
-
¥179.01
IC Micron 存储器 FLASH 512MBIT 1110NS 56TSOP
京电港自营
自营
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JS28F512M29EWHA
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb （64M x 8，32M x 16）
110ns
110ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP（14x20）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240RDIMM
京电港自营
自营
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MT18HTF25672DY-40EA1
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-RDIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240RDIMM
京电港自营
自营
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MT18HVF12872Y-53EB1
DDR2 SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-RDIMM
¥163.23
Micron N25Q128A13ESE40F 闪存, 128Mbit (16M x 8 位), SPI接口, 7ns, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC W封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
N25Q128A13ESE40F
表面贴装
-
-
-
SOIC W
128Mbit
SPI
8
16M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40°C
85°C
5.49mm
1.91mm
-
-
¥118.56
IC Micron 存储器 FLASH 256MBIT 710NS 56TSOP
京电港自营
自营
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M29W256GH70N6E
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （32M x 8，16M x 16）
70ns
70ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE SDRAM 256MB 144SODIMM
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MT16LSDF3264HG-13EG4
SDRAM
256MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
¥99.39
IC Micron 存储器 FLASH 2GBIT 8UDFN
京电港自营
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MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
2Gb （2G x 1）
-
-
SPI
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-UDFN
8-U-PDFN（8x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
询价
Micron 存储器模块 MODULE SDRAM 64MB 144SODIMM
京电港自营
自营
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MT4LSDT864HG-133G2
SDRAM
64MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240RDIMM
京电港自营
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MT18HTF12872Y-667B5
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
240-RDIMM
¥16.11
Micron M25P40-VMN6PB 闪存, 4Mbit (512K x 8 位), SPI接口, 5ns, 2.3 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
M25P40-VMN6PB
表面贴装
-
-
-
SOIC
4Mbit
SPI
8
512K x 8 位
NOR
2.3 V
3.6 V
对称
512K
5ns
8Bit
4.9 x 3.9 x 1.75mm
3.9mm
-40 °C
85 °C
4.9mm
1.75mm
-
-
¥148.68
IC Micron 存储器 FLASH 512MBIT 1108MHZ 16SO
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N25Q512A13GSF40G
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb （128M x 4）
8ms，5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
16-SOP2
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT16VDDF6464HY-335G2
DDR SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
¥2132.91
Micron 存储器模块 MODULE DDR3L SDRAM 4GB 240UDIMM
京电港自营
自营
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MT8KTF51264AZ-1G9P1
DDR3L SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1866MT/s
240-UDIMM
询价
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 128MB 200SODIMM
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MT5VDDT1672HG-265F3
DDR SDRAM
128MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
266MT/s
200-SODIMM
¥25.95
IC Micron 存储器 FLASH 32MBIT 1108MHZ 8VPDFN
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N25Q032A11EF640F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
32Mb （8M x 4）
8ms，5ms
-
SPI
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFPN（6x5）（MLP8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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MOD DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
京电港自营
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MT8HTF6464HDY-53EB3
DDR2 SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
200-SODIMM
¥45.09
IC Micron 存储器 FLASH 32MBIT 75MHZ 8VFQFPN
京电港自营
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M25P32-VMP6TG TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
32Mb （4M x 8）
15ms，5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VFQFPN（6x5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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