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产品认证
N25Q032A13ESE40G
表面贴装
-
-
-
SOIC W
32Mbit
SPI
8
4M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40 °C
85 °C
5.49mm
1.91mm
-
-
¥185.85
自营
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
4Gb (512M x 8)
-
-
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
48-TSOP I
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3 周
MT16VDDF12864HY-335D2
DDR SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
¥143.16
自营
MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
1Gb (1G x 1)
-
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 105°C(TA)
表面贴装
24-TBGA
24-TBGA(6x8)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
MT4VDDT1664HG-26AC3
DDR SDRAM
128MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
266MT/s
200-SODIMM
¥392.58
自营
MT47H128M16RT-25E:C
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
2Gb (128M x 16)
15ns
400ps
并联
1.7 V ~ 1.9 V
0°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
84-TFBGA
84-FBGA(9x12.5)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
MT16VDDF12864HG-40BF2
DDR SDRAM
1GB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
200-SODIMM
M45PE80-VMN6P
表面贴装
-
-
-
SOIC
8Mbit
SPI
8
8M x 1 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
1M
5ns
8Bit
4.9 x 3.9 x 1.75mm
3.9mm
-40 °C
85 °C
4.9mm
1.75mm
-
-
¥22.08
自营
M25P80-VMP6TG TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
8Mb (1M x 8)
15ms,5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFPN(6x5)(MLP8)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT4HTF3264AY-40EB2
DDR2 SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-UDIMM
¥81.36
自营
M29DW323DB70N6E
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
32Mb (4M x 8,2M x 16)
70ns
70ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
48-TSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT16HTF12864AY-667B3
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
240-UDIMM
¥72.81
自营
N25Q064A13EF8A0F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
64Mb (16M x 4)
8ms,5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 125°C(TA)
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFPN(6x5)(MLP8)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT4LSDT1664HG-133D1
SDRAM
128MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
144-SODIMM
MT8VDDT3264AY-335G6
DDR SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
184-UDIMM
PC28F128P33BF60A
表面贴装
-
-
-
EBGA
128Mbit
并行
64
8M x 16 位
NOR
2.3 V
3.6 V
非对称
8M
60ns
16Bit
10.1 x 8.1 x 1.2mm
8.1mm
-40 °C
85 °C
10.1mm
1.2mm
-
-
¥248.97
自营
MT41K512M8DA-107:P
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb (512M x 8)
-
20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
0°C ~ 95°C(TC)
表面贴装
78-TFBGA
78-FBGA(8x10.5)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18VDDF12872HY-335D1
DDR SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
MT36HTF25672PY-667B1
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
240-RDIMM
PC28F512M29EWLA
表面贴装
-
-
-
FBGA
512Mbit
并行
64
32M x 16 位,64M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
32M, 64M
100ns
8/16Bit
11 x 13 x 1.4mm
13mm
-40 °C
85 °C
11mm
1.4mm
-
-
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