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MOSFET 晶体管
双极 (BJT) - 单
用于 IC 的插座,晶体管
光隔离器晶体管
FET - 晶体管
双极 (BJT) - 单,预偏置
FET,MOSFET - 射频
UGBT,MOSFET - 单
双极 (BJT) - 阵列
双极 (BJT) -射频
IGBT - 模块
JFET - 晶体管
IGBT 晶体管
UJT 晶体管
数字晶体管
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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Vishay
Aries Electronics, Inc.
B+B SmartWorx, Inc.
CEL (California Eastern Laboratories)
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Infineon Technologies/英飞凌
IXYS Corporation
LAPIS Semiconductor
Lite-On, Inc.
Mill-Max
Nexperia
NXP Semiconductors / 恩智浦
onsemi/ON Semiconductor
Optek Technology / TT Electronics
Panasonic/松下
Preci-Dip
ROHM Semiconductor/罗姆
Roving Networks / Microchip
STMicroelectronics/意法半导体
Teccor / Littelfuse
Texas Instruments/德州仪器
Toshiba Semiconductor and Storage
Bourns Inc./伯恩斯
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
DiodesZetex/达尔
Fairchild Semiconductor
Fuji Electric
Relpol
Cressall
Semikron/赛米控
HY Electronic Corp
Dynex
MagnaChip
DAWIN Electronics
SGX Sensortech
Allegro MicroSystems, LLC
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1.32
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
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95.16
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 200V 15A TO247
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7.59
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
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5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 68A DPAK
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0.00
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 40V 40A ATPAK
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3.39
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 38A SO-8FL
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89.10
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1350V 60A 394W TO247
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2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
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0.00
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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1.20
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
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13.74
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 200V 0.5A TO225AA
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76.86
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 160V 16A TO247
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13.74
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 1.5A TO-252AA
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6.30
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
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1.26
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP
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11.70
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 16A WDFN8
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0.93
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 0.196A SOT23
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5.40
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
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1.89
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
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2.82
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
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产品图片
产品详情
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
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1.32
另提供行业标准包装
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型号
SMMBTA06LT3G
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1.32
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
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NPN
SMMBTA06LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
250mV @ 10mA,100mA
100nA
100 @ 100mA,1V
100MHz
¥
95.16
另提供行业标准包装
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型号
MJH11019G
¥
95.16
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 200V 15A TO247
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PNP - 达林顿
MJH11019G
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
200V
15A
150W
-65°C ~ 150°C(TJ)
4V @ 150mA,15A
1mA
400 @ 10A,5V
3MHz
¥
7.59
另提供行业标准包装
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型号
NSV40300MDR2G
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7.59
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
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2 PNP(双)
NSV40300MDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
40V
3A
653mW
170mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 1A,2V
100MHz
¥
5.04
另提供行业标准包装
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型号
NTD4965NT4G
¥
5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 68A DPAK
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NTD4965NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
13A(Ta),68A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
17.2nC @ 4.5V
1710pF @ 15V
1.39W(Ta),38.5W(Tc)
4.7 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
ATP206-TL-H
询价
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 40V 40A ATPAK
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ATP206-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
40A(Ta)
4.5V,10V
-
27nC @ 10V
1630pF @ 20V
40W(Tc)
16 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
3.39
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4927NT3G
¥
3.39
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 38A SO-8FL
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NTMFS4927NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.9A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
16nC @ 10V
913pF @ 15V
920mW(Ta),20.8W(Tc)
7.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥
89.10
另提供行业标准包装
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型号
NGTB30N135IHRWG
¥
89.10
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1350V 60A 394W TO247
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NGTB30N135IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
1350V
60A
120A
2.65V @ 15V,30A
394W
850µJ(关)
标准
-/250ns
600V,30A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
¥
2.19
另提供行业标准包装
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型号
NSBC115TDP6T5G
¥
2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
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2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
339mW
-
NSBC115TDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
0.00
另提供行业标准包装
立即询价
型号
NSBC113EDXV6T1G
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC113EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
1.20
另提供行业标准包装
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型号
SBC846ALT1G
¥
1.20
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
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NPN
SBC846ALT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
110 @ 2mA,5V
100MHz
¥
13.74
另提供行业标准包装
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型号
MJE344G
¥
13.74
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 200V 0.5A TO225AA
京电港自营
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对比
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NPN
MJE344G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
200V
500mA
20W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 5mA,50mA
1mA
30 @ 50mA,10V
15MHz
¥
76.86
另提供行业标准包装
立即购买
型号
MJE4343G
¥
76.86
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 160V 16A TO247
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对比
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NPN
MJE4343G
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
160V
16A
125W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3.5V @ 2A,16A
750µA
15 @ 8A,2V
1MHz
¥
13.74
另提供行业标准包装
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型号
BD138G
¥
13.74
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 1.5A TO-252AA
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PNP
BD138G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
60V
1.5A
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
-
¥
6.30
另提供行业标准包装
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型号
NSS40302PDR2G
¥
6.30
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
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NPN,PNP
NSS40302PDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
3A
653mW
115mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 1A,2V
100MHz
¥
1.26
另提供行业标准包装
立即购买
型号
15GN03FA-TL-H
¥
1.26
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP
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-
-
-
-
-
15GN03FA-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
¥
11.70
另提供行业标准包装
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型号
NTTFS5C670NLTAG
¥
11.70
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 16A WDFN8
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NTTFS5C670NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
16A(Ta),70A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 53µA
20nC @ 10V
1400pF @ 25V
3.2W(Ta),63W(Tc)
6.5 毫欧 @ 35A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥
0.93
另提供行业标准包装
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型号
NTR5105PT1G
¥
0.93
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 0.196A SOT23
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NTR5105PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
196mA(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
1nC @ 5V
30.3pF @ 25V
347mW(Ta)
5 欧姆 @ 100mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
5.40
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NTMFS4C09NAT1G
¥
5.40
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
京电港自营
自营
对比
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加入购物车
NTMFS4C09NAT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta),52A(Tc)
2.1V @ 250µA
1.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW(Ta)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥
1.89
另提供行业标准包装
立即购买
型号
SMUN5213DW1T1G
¥
1.89
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
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自营
对比
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2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
187mW
-
SMUN5213DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
2.82
另提供行业标准包装
立即购买
型号
EMF18XV6T5G
¥
2.82
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
京电港自营
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对比
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1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V,60V
80 @ 5mA,10V / 120 @ 1mA,6V
250mV @ 300µA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
500nA
140MHz
500mW
-
EMF18XV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
首页
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9
10
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