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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥4.62
自营
NTLJS3113PT1G
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
15.7nC @ 4.5V
1329pF @ 16V
700mW(Ta)
40 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
31 周
¥93.24
自营
NGTB40N135IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
沟槽型场截止
1350V
80A
120A
2.7V @ 15V,40A
394W
1.3mJ(关)
标准
-/250ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA144WDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
2 PNP(双)
NSV40300MDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
40V
3A
653mW
170mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 1A,2V
100MHz
NPN
2N6488G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
80V
15A
1.8W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3.5V @ 5A,15A
1mA
20 @ 5A,4V
5MHz
PNP
MJD32CRLG
-
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
100V
3A
1.56W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.2V @ 375mA,3A
50µA
10 @ 3A,4V
3MHz
NPN,PNP(耦合发射器)
CPH5506-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
30V
1.5A
1.2W
225mV @ 15mA,750mA / 375mV @ 15mA,750mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
500MHz,450MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5331DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
SBC846ALT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
110 @ 2mA,5V
100MHz
NPN
MJE344G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
200V
500mA
20W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 5mA,50mA
1mA
30 @ 50mA,10V
15MHz
¥2.88
自营
SCH1430-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW(Ta)
125 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
NTA4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
760mA(Tj)
1.8V,4.5V
450mV @ 250µA
2.1nC @ 4.5V
156pF @ 5V
301mW(Tj)
360 毫欧 @ 350mA,4.5V
表面贴装
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥3.06
自营
NTGS4111PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
32nC @ 10V
750pF @ 15V
630mW(Ta)
60 毫欧 @ 3.7A,10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥5.40
自营
NTLUS3A90PZTBG
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW(Ta)
62 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
187mW
-
SMUN5314DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
2 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式
50V
-
250mV @ 1mA,10mA / 250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
350mW
-
NUS2401SNT1G
-
SC-74
SC-74,SOT-457
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NPN,PNP
NSS40302PDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
3A
653mW
115mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 1A,2V
100MHz
-
-
-
-
-
15GN03FA-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
NPN
MJ15003G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
140V
20A
250W
-65°C ~ 200°C(TJ)
1V @ 500mA,5A
250µA
25 @ 5A,2V
2MHz
PNP - 达林顿
BDX54BG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
8A
65W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2V @ 12mA,3A
500µA
750 @ 3A,3V
-
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