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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥0.45
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5333DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5237DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.42
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 40V 0.6A SOT23
京电港自营
自营
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PNP
MMBT4403LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
40V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
750mV @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，2V
200MHz
¥3.75
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 2A SOT89-3
京电港自营
自营
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PNP
2SB1121T-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
25V
2A
500mW
150°C（TJ）
600mV @ 75mA，1.5A
100nA（ICBO）
100 @ 100mA，2V
150MHz
¥15.33
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
京电港自营
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NPN - 达林顿
BD681G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
100V
4A
40W
-55°C ~ 150°C（TJ）
2.5V @ 30mA，1.5A
500µA
750 @ 1.5A，3V
-
¥0.60
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
京电港自营
自营
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NPN
BC850BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz
¥63.12
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 25A TO247
京电港自营
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NPN
TIP35CG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100V
25A
125W
-65°C ~ 150°C（TJ）
4V @ 5A，25A
1mA
15 @ 15A，4V
3MHz
¥4.95
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 80V/50V 2A 5CPH
京电港自营
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NPN，PNP（耦合发射器）
CPH5520-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
80V，50V
2A
1.2W
260mV @ 50mA，1A
1µA（ICBO）
200 @ 100mA，2V
420MHz
¥5.49
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
京电港自营
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6.7GHz
800mW
90 @ 30mA，5V
100mA
NPN
2SC5415AE-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
150°C（TJ）
¥3.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
京电港自营
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NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥12.69
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 17A TP
京电港自营
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SFT1445-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
17A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
19nC @ 10V
1030pF @ 20V
1W（Ta），35W（Tc）
111 毫欧 @ 8.5A，10V
表面贴装
TP-FA
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥3.90
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.2A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C10NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.2A（Ta）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
9.7nC @ 4.5V
987pF @ 15V
750mW（Ta），23.6W（Tc）
6.95 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥74.79
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
京电港自营
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NGTB15N120FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.4V @ 15V，15A
294W
1.2mJ（开），370µJ（关）
标准
64ns/132ns
600V，15A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124EDXV6T1G
-
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
8 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA123EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.75
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 0.2A SOT23
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PNP
MMBT4126LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
25V
200mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
400mV @ 5mA，50mA
-
120 @ 2mA，1V
250MHz
¥9.03
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
京电港自营
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PNP
SMMBTA56LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
250mV @ 10mA，100mA
100nA
100 @ 100mA，1V
50MHz
¥11.49
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 3A TO220AB
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NPN
TIP31G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
3A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.2V @ 375mA，3A
300µA
10 @ 3A，4V
3MHz
¥94.92
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 250V 16A TO3
京电港自营
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NPN
MJ21196G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
250V
16A
250W
-65°C ~ 200°C（TJ）
4V @ 3.2A，16A
100µA
25 @ 8A，5V
4MHz
¥16.23
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 10A TO-220ML
京电港自营
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PNP
2SA2222SG
-
通孔
TO-220ML
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
50V
10A
2W
150°C（TJ）
500mV @ 300mA，6A
10µA（ICBO）
150 @ 270mA，2V
230MHz

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