购物车中还没有商品,赶紧选购吧!
更多选项
 ~ 
12/69

1361 符合条件

已选择条件
产品图片
产品详情
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥3.42
自营
CPH3459-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2.4nC @ 10V
90pF @ 20V
1W(Ta)
3.7 欧姆 @ 250mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥93.24
自营
NGTB40N135IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
沟槽型场截止
1350V
80A
120A
2.7V @ 15V,40A
394W
1.3mJ(关)
标准
-/250ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA144WDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥4.65
自营
PNP
NSS12100UW3TCG
-
表面贴装
3-WDFN(2x2)
3-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
12V
1A
740mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
440mV @ 100mA,1A
100nA(ICBO)
100 @ 500mA,2V
200MHz
1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V,12V
80 @ 5mA,10V / 270 @ 10mA,2V
250mV @ 300µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
500nA
-
500mW
-
EMF5XV6T5
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
TIP48G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
300V
1A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 200mA,1A
1mA
30 @ 300mA,10V
10MHz
PNP
SMMBTA92LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
300V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 2mA,20mA
250nA(ICBO)
25 @ 30mA,10V
50MHz
NPN
MJ15001G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
140V
15A
200W
-65°C ~ 200°C(TJ)
1V @ 400mA,4A
250µA
25 @ 4A,2V
2MHz
2 NPN(双)
NSV40301MDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
40V
3A
653mW
115mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 2A,2V
100MHz
¥32.91
自营
NTD5862NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
98A(Tc)
10V
4V @ 250µA
82nC @ 10V
6000pF @ 25V
115W(Tc)
5.7 毫欧 @ 45A,10V
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
BVSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
170mA(Ta)
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW(Ta)
6 欧姆 @ 100mA,10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.40
自营
NTLUS3A90PZTBG
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW(Ta)
62 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
187mW
-
SMUN5314DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
PNP
NST3906F3T5G
-
表面贴装
SOT-1123
SOT-1123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
40V
200mA
290mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
250MHz
2 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式
50V
-
250mV @ 1mA,10mA / 250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
350mW
-
NUS2401SNT1G
-
SC-74
SC-74,SOT-457
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
PNP
MJD42CG
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
6A
1.75W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 600mA,6A
50µA
15 @ 3A,4V
3MHz
NPN
BC848BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
30V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
NPN
MJW3281AG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
230V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
50 @ 7A,5V
30MHz
NPN
BD139G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
80V
1.5A
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
-
NPN,PNP
BC847BPDW1T3G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
45V
100mA
380mW
600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
对比栏

1

您还可以继续添加

2

您还可以继续添加

3

您还可以继续添加

4

您还可以继续添加