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最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN VHF/UHF SS 25V TO-92
京电港自营
自营
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650MHz
350mW
60 @ 4mA，10V
-
NPN
MPSH10RLRPG
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
带盒（TB）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥76.62
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 20A 1200V TO-247
京电港自营
自营
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NGTB20N120IHWG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
46 周
沟槽型场截止
1200V
40A
80A
2.65V @ 15V，20A
341W
480µJ（关）
标准
-/170ns
600V，20A，10 欧姆，15V
-40°C ~ 175°C（TJ）
¥14.88
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 4A TO225AA
京电港自营
自营
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NPN
2N5191G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
4A
40W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.4V @ 1A，4A
1mA
25 @ 1.5A，2V
2MHz
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114YPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥219.12
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 90V 20A TO3
京电港自营
自营
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NPN
2N5038G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
90V
20A
140W
-65°C ~ 200°C（TJ）
2.5V @ 5A，20A
-
20 @ 12A，5V
-
¥56.34
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 25A TO247
京电港自营
自营
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PNP
TIP36AG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
60V
25A
125W
-65°C ~ 150°C（TJ）
4V @ 5A，25A
1mA
15 @ 15A，4V
3MHz
¥6.39
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 37A 8DFN
京电港自营
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NTTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），37A（Tc）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
2.7W（Ta），33W（Tc）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥52.08
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 49A SO8FL
京电港自营
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NVMFS5C404NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
10V
4V @ 250µA
128nC @ 10V
8400pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
0.7 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥4.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.6A SOT-23-3
京电港自营
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MVGSF1N03LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.6A（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
140pF @ 5V
420mW（Ta）
100 毫欧 @ 1.2A，10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥0.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.6A SOT323
京电港自营
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PNP
MMBT2907AWT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
60V
600mA
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
1.6V @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，10V
200MHz
¥4.80
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 4A SOT89-3
京电港自营
自营
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NPN
2SC5566-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
50V
4A
1.3W
150°C（TJ）
225mV @ 100mA，2A
1µA（ICBO）
200 @ 500mA，2V
400MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
京电港自营
自营
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2 PNP（双）
MBT3906DW1T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
150mW
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
250MHz
¥5.31
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 35V 6A CPH6
京电港自营
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CPH6443-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
4V，10V
-
10nC @ 10V
470pF @ 20V
1.6W（Ta）
37 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.11
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5215DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥22.77
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 6A TO220AB
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NPN
BD243CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
100V
6A
65W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.5V @ 1A，6A
700µA
15 @ 3A，4V
3MHz
¥2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC123JPDXV6T1G
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥8.37
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 4A TP-FA
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NPN
2SD1816T-TL-H
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100V
4A
1W
150°C（TJ）
400mV @ 200mA，2A
1µA（ICBO）
200 @ 500mA，5V
180MHz
¥1.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
京电港自营
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2 NPN（双）
BC847CDXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥2.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.13A SOT-23
京电港自营
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NTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 5A CPH6
京电港自营
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CPH6341-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5A（Ta）
4V，10V
-
10nC @ 10V
430pF @ 10V
1.6W（Ta）
59 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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