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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMP2160UFDB-7
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
1.4W
-
16 周
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
20V
3.8A
70 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
536pF @ 10V
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DMP2066LSS-13
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
820pF @ 15V
±12V
-
2.5W（Ta）
40 毫欧 @ 5.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
20 周
¥3.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2302UQ-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1V @ 50µA
7nC @ 4.5V
594.3pF @ 10V
±8V
-
800mW（Ta）
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
8 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN DARL 120V 1A SM8
京电港自营
自营
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ZDT605TC
2 NPN 达林顿（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
120V
1.5V @ 1mA，1A
10µA
2000 @ 1A，5V
2.75W
150MHz
-
¥3.18
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
京电港自营
自营
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DMN10H220L-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
8.3nC @ 10V
401pF @ 25V
±16V
-
1.3W（Ta）
220 毫欧 @ 1.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
8 周
¥12.24
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223
京电港自营
自营
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ZVN4424GTA
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.8V @ 1mA
-
200pF @ 25V
±40V
-
2.5W（Ta）
5.5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
¥0.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTC115TCA-7-F
NPN - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
100k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
12 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTC143TCA-7
NPN - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，2.5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥17.16
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 140V 2A SOT223
京电港自营
自营
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FZT600BTA
NPN - 达林顿
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
140V
1.2V @ 10mA，1A
10µA
10000 @ 500mA，10V
2W
250MHz
表面贴装
-
¥2.10
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 1A SOT-223
京电港自营
自营
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DCP68-25-13
NPN
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
20V
500mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
160 @ 500mA，1V
1W
330MHz
表面贴装
-
13 周
¥10.14
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3
京电港自营
自营
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FMMT597TA
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200mA
300V
250mV @ 20mA，100mA
100nA
100 @ 50mA，10V
500mW
75MHz
表面贴装
-
¥4.74
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
BC857C-7-F
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
45V
650mV @ 5mA，100mA
15nA
420 @ 2mA，5V
300mW
200MHz
表面贴装
-
12 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
京电港自营
自营
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DCX114EU-7
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
10k
10k
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA124XUA-7
PNP - 预偏压
47k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
22k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥3.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN2029USD-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
1.2W
-
20 周
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
5.8A
25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
18.6nC @ 8V
1171pF @ 10V
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
京电港自营
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ZVN2110ASTZ
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
4 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
通孔
-
16 周
¥1.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A
京电港自营
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DMN61D9U-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
370mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
12 周
¥32.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 10A
京电港自营
自营
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DMT10H015LFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3.5V @ 250µA
33.3nC @ 10V
1871pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta），35W（Tc）
13.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
16 周
¥16.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
京电港自营
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DMN2005UFG-13
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
164nC @ 10V
6495pF @ 10V
±12V
-
1.05W（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
17 周
¥11.04
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
京电港自营
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MMDT4401-7-F
2 NPN（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
600mA
40V
750mV @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，1V
200mW
250MHz
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