|
|
N79E855AWG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
25 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
512 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO100ND2BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78L801A24FL |
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI |
LED，WDT |
36 |
4KB（4K x 8） |
掩模 ROM |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
NUC100LC1DN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
37 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W79E8213ASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
- |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
128 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NUC220LE3AN |
NuMicro™ NUC220 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
31 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO112RC2AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
58 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E051DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W78E365A40PL |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
MINI52LDE |
NuMicro Mini51™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
29 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78L812A24PL |
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
LED，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
M058SSAN |
NuMicro M058S |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
55 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC100LD2BN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
35 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NUC200LD2AN |
NuMicro™ NUC200 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
35 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO102LB1AN |
NuMicro™ Nano102 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
40 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC220LC2AN |
NuMicro™ NUC220 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
31 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E054DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NUC123ZD4AN0 |
NuMicro™ NUC123 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
20 |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
20K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E824ADG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-DIP（0.300"，7.62mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NANO100NC2BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
38 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
