|
|
W79E2051ASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
N78E517ALG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
40 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
M058SLAN |
NuMicro M058S |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
42 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E822ARG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
N78E517ADG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
32 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
40-DIP（0.600"，15.24mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO102LC2AN |
NuMicro™ Nano102 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
40 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC122ZD2AN |
NuMicro™ NUC122 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
60MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
断电检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，WDT |
18 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
M052LBN |
NuMicro M051™ BN |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
40 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
N79E352ADG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
32 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
40-DIP（0.600"，15.24mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M0518SD2AE |
NuMicro M0518 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
56 |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W79E4051RASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NUC131LC2AE |
NuMicro™ NUC131 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
42 |
36KB（36K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N78E366ADG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
32 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
40-DIP（0.600"，15.24mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E824ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NUC123LC2AN1 |
NuMicro™ NUC123 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
36 |
36KB（36K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W79E4051RARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78L812A24FL |
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
LED，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
N78E055ADG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
32 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
40-DIP（0.600"，15.24mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC122LD2AN |
NuMicro™ NUC122 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
60MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
30 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E352RALG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
38 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
