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原产地
¥66.69
Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装
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FGA30N65SMD
60 A
±20V
-
300 W
TO-3PN
通孔
N
3
-
单
16.2mm
5mm
20.1mm
-
¥19.92
Infineon IRG4BC20WPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
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IRG4BC20WPBF
13 A
±20V
-
-
TO-220AB
通孔
N
3
-
单
10.54mm
4.69mm
8.77mm
-
¥48.84
Fairchild Semiconductor FGAF20N60SMD N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PF封装
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FGAF20N60SMD
40 A
±20V
-
75 W
TO-3PF
通孔
N
3
1MHz
单
15.7mm
3.2mm
26.7mm
-
¥91.59
Infineon IRGP4063-EPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
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IRGP4063-EPBF
96 A
±20V
-
330 W
TO-247AD
通孔
N
3
30kHz
单
15.87mm
5.13mm
20.7mm
-
¥677.97
IXYS IXYX25N250CV1HV IGBT, 95 A, Vce=2500 V, 3引脚 PLUS247封装
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IXYX25N250CV1HV
95 A
±20 (Continuous) V, ±30 (Transient) V
1
937 W
PLUS247
通孔
-
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.34mm
-
¥63.78
Fairchild Semiconductor HGTG20N60A4 N沟道 IGBT, 70 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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HGTG20N60A4
70 A
±20V
-
-
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.87mm
4.82mm
20.82mm
-
¥73.44
Infineon IGW50N60TPXKSA1 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247封装
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IGW50N60TPXKSA1
80 A
±20V
1
319.2 W
TO-247
通孔
N
3
30kHz
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
-
¥32.61
Infineon IRGS4615DPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IRGS4615DPBF
23 A
±30V
-
99 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
-
¥181.59
Fuji Electric FGW25N120VD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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FGW25N120VD
25 A
±20V
-
260 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.03mm
20.95mm
-
¥59.94
IXYS IXA12IF1200PB N沟道 IGBT, 20 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-220封装
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IXA12IF1200PB
20 A
±20V
-
85 W
TO-220
通孔
N
3
-
单
10.66mm
4.82mm
16mm
-
¥69.33
STMicroelectronics STGWT40V60DLF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT40V60DLF
40 A
±20V
-
283 W
TO-3P
通孔
N
3
1MHz
单
15.7mm
5.7mm
26.7mm
-
¥26.31
Infineon IKA15N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 14 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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IKA15N65H5XKSA1
14 A
±20V
-
33.3 W
TO-220FP
通孔
N
3
1MHz
单
10.65mm
4.85mm
16.15mm
-
¥57.90
Infineon IRGB30B60KPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
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IRGB30B60KPBF
78 A
±20V
-
370 W
TO-220AB
通孔
N
3
-
单
10.66mm
4.82mm
16.51mm
-
¥120.48
Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1000 V, 3引脚 TO-264封装
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FGL60N100BNTD
60 A
±25V
-
-
TO-264
通孔
N
3
-
单
20mm
5mm
26mm
-
¥68.85
Infineon IHW30N160R2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1600 V, 3引脚 TO-247封装
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IHW30N160R2
60 A
±20V
-
312 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
-
¥23.58
Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IRGS4607DPBF
11 A
±30V
-
58 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
-
¥48.87
Infineon IRGS10B60KDPBF N沟道 IGBT, 22 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IRGS10B60KDPBF
22 A
±20V
-
156 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
1MHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
-
¥101.01
Infineon IRG4PC40UDPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC40UDPBF
40 A
±20V
-
-
TO-247AC
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
-
¥66.21
Fairchild Semiconductor FGB20N60SFD N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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FGB20N60SFD
20 A
±20V
-
208 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
-
¥37.98
Infineon IRGSL6B60KDPBF N沟道 IGBT, 18 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
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IRGSL6B60KDPBF
18 A
±20V
-
90 W
I2PAK (TO-262)
通孔
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
4.83mm
11.3mm
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