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速度
峰值反向电流
不同 Vr,F 时的电容
安装类型
封装类型
包装
工作温度
原产地
达标情况
原厂标准交货期
产品类型
技术类型
峰值反向重复电压
峰值平均正向电流
峰值正向电压
产品包装
配置
功率 - 最大值
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
供应商器件封装
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
系列
晶体管类型
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
封装/外壳
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
SK13-13-F
-
肖特基
1A
550mV @ 1A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
500µA @ 30V
110pF @ 4V,1MHz
表面贴装
DO-214AA,SMB
剪切带(CT)
-65°C ~ 125°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SMB
SDM2A20CSP-7
-
肖特基
2A
530mV @ 2A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
80µA @ 20V
70pF @ 5V,1MHz
表面贴装
2-XDFN
标准卷带
-55°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
X3-WLB1406-2
ZXTP2012GTA
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-223
-
PNP
5.5A
60V
250mV @ 500mA,5A
20nA(ICBO)
100 @ 2A,1V
3W
120MHz
TO-261-4,TO-261AA
ZDT749TC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2 PNP(双)
2A
25V
500mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
100 @ 1A,2V
2.75W
160MHz
±2%
100nA @ 8V
1.1V @ 100mA
BZT585B11T-7
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOD-523
-
SC-79,SOD-523
¥2.97
自营
±5%
1µA @ 29.7V
1.5V @ 200mA
1SMB5939B-13
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
SMB
-
DO-214AA,SMB
±6%
BZX84C9V1TS-7-F
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3 个独立式
200mW
500nA @ 6V
900mV @ 10mA
SOT-363
-
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
±5%
3µA @ 6.5V
900mV @ 10mA
MMBZ5237BW-7-F
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-323
-
SC-70,SOT-323
GBPC1506
5µA @ 600V
QC 端子
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
单相
标准
600V
15A
1.1V @ 7.5A
托盘
GBPC
4-方形,GBPC
DMP3030SN-7
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
SC-59-3
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 1mA
-
160pF @ 10V
±20V
-
500mW(Ta)
250 毫欧 @ 400mA,10V
-
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DMN7022LFG-7
表面贴装
标准卷带
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
PowerDI3333-8
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
56.5nC @ 10V
2737pF @ 35V
±20V
-
900mW(Ta)
22 毫欧 @ 7.2A,10V
-
8-PowerWDFN
DMC1028UFDB-7
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
U-DFN2020-6(B 类)
-
6-UDFN 裸露焊盘
N 和 P 沟道
标准
12V,20V
6A,3.4A
25 毫欧 @ 5.2A,4.5V
1V @ 250µA
18.5nC @ 8V
787pF @ 6V
1.36W
DMP2035UVT-7
表面贴装
标准卷带
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
TSOT-26
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1.5V @ 250µA
23.1nC @ 4.5V
2400pF @ 10V
±12V
-
1.2W(Ta)
35 毫欧 @ 4A,4.5V
-
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
DMN3032LFDBQ-13
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
U-DFN2020-6(B 类)
6-UDFN 裸露焊盘
2 个 N 沟道(双)
标准
30V
6.2A(Ta)
30 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
10.6nC @ 10V
500pF @ 15V
1W
SDM160S1FQ-7
汽车级,AEC-Q101
肖特基
1A
530mV @ 1A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
60µA @ 60V
48pF @ 10V,1MHz
表面贴装
SOD-123F
标准卷带
-55°C ~ 175°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
SOD-123F
FZT955TA
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-223
-
PNP
4A
140V
370mV @ 300mA,3A
50nA(ICBO)
100 @ 1A,5V
3W
110MHz
TO-261-4,TO-261AA
±5%
5µA @ 3.5V
1.1V @ 200mA
1N5233B-T
通孔
标准卷带
-65°C ~ 200°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DO-35
-
DO-204AH,DO-35,轴向
±6.98%
3µA @ 1V
900mV @ 10mA
BZT52HC4V3WF-7
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOD-123F
汽车级,AEC-Q101
SOD-123F
±5%
MMBZ5236BS-7
表面贴装
标准卷带
-65°C ~ 150°C
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个独立式
200mW
3µA @ 6V
900mV @ 10mA
SOT-363
-
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
±7%
20µA @ 1V
900mV @ 10mA
BZT52C2V7-7
表面贴装
剪切带(CT)
-65°C ~ 150°C
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOD-123
-
SOD-123
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