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频率
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ESR(等效串联电阻)
工作模式
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高度 - 安装(最大值)
容差
反向漏电流
正向电压
整流器类型
最大连续正向电流
最大正向电压降
峰值反向电流
二极管配置
二极管类型
电流-平均整流(Io) (每二极管)
不同If时的电压-正向 (Vf)
速度
工作温度-结
频率稳定度
等级
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
制造商
产品系列
不同 Vr,F 时的电容
电容比
电容比条件
最大峰值反向电压
不同 Vr,F 时的 Q 值
封装类型
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
产品型号
系列
功能
类型
输出类型
每元件位数
最大传播延迟
触发器类型
电流输出高,低
电压电源
工作温度
安装类型
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
2 NPN(双)
2A
60V
500mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
100 @ 500mA,2V
2.75W
175MHz
ZDT651TA
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准
6A
900mV @ 6A
10µA @ 1000V
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
R-6
-
-
R6,轴向
6A10-T
-65°C ~ 175°C
通孔
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
8-SO
DMC3028LSDXQ-13
-
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
N 和 P 沟道
标准
30V
5.5A,5.8A
27 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 5V
641pF @ 15V
1.2W
±5%
1µA @ 9.1V
900mV @ 10mA
SOT-23-3
MMBZ5242B-7-F
-
-65°C ~ 150°C
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
肖特基
150mA
450mV @ 10mA
2µA @ 75V
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
SOD-123
汽车级,AEC-Q101
12pF @ 1V,1MHz
SOD-123
BAT46WQ-7-F
-55°C ~ 125°C
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
E-Line(TO-92 兼容)
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
3.5V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW(Ta)
8 欧姆 @ 375mA,10V
ZVP2110ASTZ
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
E-Line-3
带盒(TB)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.08
自营
74LVC374AT20-13
74LVC
标准
D 型
非反相
8
6.8ns @ 3.3V,50pF
正边沿
24mA,24mA
1.65 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 125°C(TA)
表面贴装
20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
±5%
100nA @ 18V
900mV @ 10mA
SOT-323
MMBZ5252BW-7-F
-
-65°C ~ 150°C
表面贴装
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准
6A
1.2V @ 6A
10µA @ 400V
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
R-6
-
140pF @ 4V,1MHz
R6,轴向
PR6004-T
-65°C ~ 150°C
通孔
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
2.2k
47k
80 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
-
DDC123JU-7-F
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
1 对共阴极
超级势垒
15A
800mV @ 15A
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
-55°C ~ 150°C
ITO-220AB
SBRT30A100CTFP
TrenchSBR
通孔
TO-220-3 全封装,隔离接片
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
U-WLB1515-9
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1.1V @ 250µA
7nC @ 4.5V
500pF @ 10V
-6V
-
1W(Ta)
33 毫欧 @ 2A,4.5V
DMP2033UCB9-7
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
9-UFBGA,WLBGA
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
NPN
TO-252-3
5A
75V
460mV @ 200mA,5A
10nA
300 @ 1A,2V
4.4W
140MHz
ZXT1053AKTC
-
表面贴装
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥16.23
自营
25MHz
±30ppm
12pF
60 欧姆
基谐
0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
0.030"(0.75mm)
±30ppm
-
FL2500279Z
SaRonix-eCera™ FL
MHz 晶体
-20°C ~ 70°C
表面贴装
4-SMD,无引线
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-23-3
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,2.7V
900mV @ 100µA
-
-
±10V
-
350mW(Ta)
1.7 欧姆 @ 200mA,2.7V
DMN2005K-7
-
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
PNP
SOT-23-3
200mA
32V
550mV @ 1.25mA,50mA
20nA
380 @ 2mA,5V
330mW
180MHz
BCW61DTA
-
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
单一
SOD-323
-
23.1pF @ 2V,1MHz
6.5
C2/C20
25V
200 @ 3V,50MHz
SC-76,SOD-323
ZMV832BTC
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-523
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
280mW(Ta)
400 毫欧 @ 600mA,4.5V
DMG1012T-7
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
PNP
TO-252-3
5A
100V
390mV @ 500mA,5A
20nA(ICBO)
100 @ 1A,1V
4.2W
125MHz
ZXT953KTC
-
表面贴装
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准
1.5A
1.15V @ 1.5A
5µA @ 200V
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SMB
-
20pF @ 4V,1MHz
DO-214AA,SMB
S2D-13-F
-65°C ~ 150°C
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
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