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不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
晶体管类型
最大集电极电流
基底电阻器
发射极基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
电机类型步进
电机类型AC，DC
功能
输出配置
接口
应用
电流输出
电压电源
电压负载
参考类型
输出类型
电压输出
最大电压输出
温度系数
噪声0.1Hz至10Hz
噪声10Hz至10Hz
电流阴极
询价
Diodes 电机驱动芯片，控制器 IC MOTOR CONTROLLER PWM 16QSOP
京电港自营
自营
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-40°C ~ 110°C（TA）
ZXBM1004Q16TA
-
表面贴装
16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽）
16-QSOP
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
无刷 DC（BLDC）
控制器 - 换向，方向管理
前置驱动器 - 半桥（2）
PWM
风扇控制器
-
4.7 V ~ 18 V
-
¥3.27
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 18V 1W POWERDI123
京电港自营
自营
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±6%
1µA @ 13V
1.2V @ 200mA
-55°C ~ 150°C
DFLZ18-7
-
表面贴装
POWERDI®123
PowerDI™ 123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.26
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTD123TC-7-F
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
NPN - 预偏压
500mA
2.2k
-
100 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
200MHz
200mW
¥7.68
Diodes 二极管-整流器-阵列 DIODE ARRAY GP 85V 75MA SOT523
京电港自营
自营
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BAV99T-7-F
-
1 对串联
标准
75mA（DC）
1V @ 50mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
-65°C ~ 150°C
表面贴装
SOT-523
SOT-523
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 电压基准 IC VREF SHUNT 9.8V SOT223
京电港自营
自营
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±1%
-40°C ~ 85°C（TA）
ZRT100GC1TA
-
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30mA
分流器
固定
9.8V
-
50ppm/°C
50µVp-p
-
150µA
询价
Diodes 二极管-齐纳-阵列 DIODE ZENER ARRAY 16V SOT23-3
京电港自营
自营
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±5%
-65°C ~ 150°C
DZ23C16-7
-
表面贴装
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 对共阴极
300mW
-
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTC143XE-7
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN - 预偏压
100mA
4.7k
10k
30 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
询价
Diodes 二极管-整流器-阵列 DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT23-3
京电港自营
自营
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BAV70TA
-
1 对共阴极
标准
150mA
1.25V @ 150mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
-65°C ~ 150°C
表面贴装
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 电压基准 IC VREF SHUNT 2.5V TO92-3
京电港自营
自营
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±3%
-40°C ~ 85°C（TA）
ZR285R03STZ
-
通孔
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
TO-92-3
带盒（TB）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20mA
分流器
固定
2.5V
-
90ppm/°C
-
60µVrms
20µA
¥9.69
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26
京电港自营
自营
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DMB2227A-7
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
600mA
40V，60V
1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
300mW
300MHz，200MHz
NPN，PNP
¥3.84
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
京电港自营
自营
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SBR®
超级势垒
2A
460mV @ 2A
200µA @ 30V
-
POWERDI®123
-65°C ~ 175°C
SBR2M30P1-7
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
表面贴装
PowerDI™ 123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
DMP3098LDM-7
-
表面贴装
SOT-23-6
SOT-26
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 10V
336pF @ 25V
±20V
-
1.25W（Ta）
65 毫欧 @ 4A，10V
¥2.19
Diodes TVS 二极管 DIODE 12VWM 28VC SOD523
京电港自营
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¥0.87
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 51V 410MW SOD123
京电港自营
自营
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±6%
100nA @ 38V
-
-65°C ~ 150°C
BZT52C51-7-F
-
表面贴装
SOD-123
SOD-123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.44
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
京电港自营
自营
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-
标准
1A
1V @ 1A
5µA @ 400V
8pF @ 4V，1MHz
DO-204AL，DO-41，轴向
-65°C ~ 175°C
1N4004G-T
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
通孔
DO-41
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.70
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
京电港自营
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DMC3026LSD-13
-
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
1.2W
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A，6.2A
25 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 10V
641pF @ 15V
¥13.02
Diodes TVS 二极管 DIODE 13.6VWM 22.5VC DO201A
京电港自营
自营
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¥1.32
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 22V 200MW SOT323
京电港自营
自营
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±6%
100nA @ 15.4V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 125°C
BZX84C22W-7-F
-
表面贴装
SC-70，SOT-323
SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥15.54
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE GEN PURP 150V 3A SMB
京电港自营
自营
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-
标准
3A
900mV @ 3A
10µA @ 150V
45pF @ 4V，1MHz
DO-214AA，SMB
-55°C ~ 150°C
ES3CB-13-F
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
表面贴装
SMB
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥7.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
ZVN3310ASTZ
-
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
40pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
10 欧姆 @ 500mA，10V

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