|
|
IS42S32800J-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （8M x 32） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
86-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
IS42S32800J-6TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （8M x 32） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
86-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
IS42S32800J-7BL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （8M x 32） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
90-TFBGA |
90-TFBGA（8x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS42VM16160K-75BLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - 移动 |
256Mb （16M x 16） |
- |
6ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
54-TFBGA |
54-TFBGA（8x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS43DR16640C-25DBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
1Gb （64M x 16） |
15ns |
400ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 85°C（TC） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
IS43TR16640B-125JBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3 |
1Gb （64M x 16） |
15ns |
20ns |
并联 |
1.425 V ~ 1.575 V |
0°C ~ 95°C（TA） |
表面贴装 |
96-TFBGA |
96-TWBGA（9x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
IS61WV5128BLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （512K x 8） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
36-MBGA |
36-迷你型BGA（8x10） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS61WV25616BLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （256K x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-迷你型BGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS42S32400F-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
128Mb （4M x 32） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
86-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS43TR81280BL-125JBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3L |
1Gb （128M x 8） |
15ns |
20ns |
并联 |
1.283 V ~ 1.45 V |
0°C ~ 95°C（TA） |
表面贴装 |
78-TFBGA |
78-TWBGA（8x10.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS43DR81280C-25DBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
1Gb （128M x 8） |
15ns |
400ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 85°C（TC） |
表面贴装 |
60-TFBGA |
60-TWBGA（10.5x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
IS61C5128AS-25QLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （512K x 8） |
25ns |
25ns |
并联 |
4.5 V ~ 5.5 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） |
32-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS66WVE2M16ECLL-70BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM（伪 SRAM） |
32Mb （2M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS66WVE4M16EBLL-70BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM（伪 SRAM） |
64Mb （4M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS43DR16320C-3DBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
512Mb （32M x 16） |
15ns |
450ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS42S83200J-7TLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （32M x 8） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS66WVE4M16EBLL-55BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM（伪 SRAM） |
64Mb （4M x 16） |
55ns |
55ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
IS61WV10248BLL-10TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （1M x 8） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS61WV51216BLL-10MLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （512K x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-迷你型BGA（9x11） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS61LPS25636A-200TQLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 同步 |
9Mb （256K x 36） |
- |
3.1ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.465 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
100-LQFP |
100-TQFP（14x20） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
