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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
150mW
-
UMA6NT1
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
TIG110BF
-
通孔
TO-220FI(LS)
TO-220-3 整包
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPT
600V
27A
108A
2V @ 15V,15A
2W
-
标准
65ns/250ns
300V,15A,30 欧姆,15V
-
NPN,PNP
UMZ1NT1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
200mA
250mW
250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA
2µA
200 @ 2mA,6V
114MHz,142MHz
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V,12V
80 @ 5mA,10V / 270 @ 10mA,2V
250mV @ 300µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
500nA
-
500mW
-
EMF5XV6T5
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN,PNP
BC847BPDXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
800MHz
350mW
25 @ 5mA,10V
-
NPN
MPSH17RLRAG
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NGB8206NTF4
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-
NPN,PNP
MBT3946DW1T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
150mW
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz,250MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143TPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA144EDXV6T5
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
-
50mA
NPN
NSVF2250WT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5232DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
ATP212-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta)
4V,10V
-
34.5nC @ 10V
1820pF @ 20V
40W(Tc)
23 毫欧 @ 18A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123JPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16GHz
400mW
60 @ 50mA,5V
150mA
NPN
MCH4020-TL-E
-
表面贴装
4-MCPH
4-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5316DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSB1706DMW5T1
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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