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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
NGTB15N60S1EG
-
通孔
TO-220
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
NPT
600V
30A
120A
1.7V @ 15V,15A
117W
550µJ(开),350µJ(关)
标准
65ns/170ns
400V,15A,22 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN - 达林顿
MJF6388G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
100V
10A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 100mA,10A
10µA
3000 @ 3A,4V
-
2 NPN(双)
NSVEMX1DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz
¥4.44
自营
PNP
2SA2125-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
50V
3A
3.5W
150°C(TJ)
500mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
390MHz
NPN - 达林顿
BD679AG
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
80V
4A
40W
-55°C ~ 150°C(TJ)
2.8V @ 40mA,2A
500µA
750 @ 2A,3V
-
NPN
MSD42WT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
300V
150mA
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 2mA,20mA
100nA(ICBO)
40 @ 30mA,10V
-
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA143ZDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
230mW
-
EMG2DXV5T1
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
BCX19LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
620mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
100 @ 100mA,1V
-
¥6.39
自营
NTTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta),37A(Tc)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
2.7W(Ta),33W(Tc)
11.5 毫欧 @ 8.7A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥59.76
自营
NDFP03N150CG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
10V
-
34nC @ 10V
650pF @ 30V
2W(Ta),32W(Tc)
10.5 欧姆 @ 1A,10V
通孔
TO-220-3
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥4.59
自营
NTMFS4C13NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.2A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
15.2nC @ 10V
770pF @ 15V
750mW(Ta)
9.1 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
NGTB15N120IHLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1200V
30A
120A
2.2V @ 15V,15A
156W
560µJ(关)
标准
-/165ns
600V,15A,15 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
PNP
2SA2016-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
50V
7A
3.5W
150°C(TJ)
400mV @ 40mA,2A
100nA(ICBO)
200 @ 500mA,2V
330MHz
NPN,PNP
MCH6541-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
30V
700mA
550mW
190mV @ 10mA,200mA / 220mV @ 10mA,200mA
100nA(ICBO)
300 @ 50mA,2V / 200 @ 10mA,2V
540MHZ,520MHz
2 NPN(双)
MBT3904DW2T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
150mW
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
650MHz
225mW
60 @ 4mA,10V
-
NPN
MMBTH10LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN
2SD1048-6-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
15V
700mA
200mW
125°C(TJ)
80mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
200 @ 50mA,2V
250MHz
NPN
MJD200G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
25V
5A
1.4W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.8V @ 1A,5A
100nA(ICBO)
45 @ 2A,1V
65MHz
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