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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥2.67
自营
6HP04CH-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
370mA(Ta)
4V,10V
-
0.84nC @ 10V
24.1pF @ 20V
-
4.2 欧姆 @ 190mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
650MHz
225mW
60 @ 4mA,10V
-
NPN
MMBTH10LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-55°C ~ 150°C(TJ)
NTR4101PT1H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
675pF @ 10V
420mW(Ta)
85 毫欧 @ 1.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NPN
2SD1048-6-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
15V
700mA
200mW
125°C(TJ)
80mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
200 @ 50mA,2V
250MHz
NPN
MJD200G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
25V
5A
1.4W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.8V @ 1A,5A
100nA(ICBO)
45 @ 2A,1V
65MHz
NPN
2N5302G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
30A
200W
-65°C ~ 200°C(TJ)
3V @ 6A,30A
5mA
15 @ 15A,2V
2MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
339mW
-
NSBC114EPDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA113EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP
BC807-40LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
250 @ 100mA,1V
100MHz
¥3.30
自营
MGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW(Ta)
90 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥66.48
自营
NGTG15N120FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.4V @ 15V,15A
294W
1.2mJ(开),370µJ(关)
标准
64ns/128ns
600V,15A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
PNP
NJW0302G
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
250V
15A
150W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 500mA,5A
10µA(ICBO)
75 @ 3A,5V
30MHz
2 NPN(双)
NSVT3904DP6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
350mW
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
200MHz
NDT02N40T1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
400mA(Tc)
10V
2V @ 250µA
5.5nC @ 10V
121pF @ 25V
2W(Tc)
5.5 欧姆 @ 220mA,10V
表面贴装
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
PNP
MJD210T4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
25V
5A
1.4W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.8V @ 1A,5A
100nA(ICBO)
45 @ 2A,1V
65MHz
PNP
MJB45H11T4G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
80V
10A
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
40MHz
NPN
SBCP56-10T1G
-
表面贴装
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
43 周
80V
1A
1.5W
-65°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
63 @ 150mA,2V
130MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA123JDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5114DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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