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最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥2.16
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
3 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
187mW
-
SMUN5230DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥10.02
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 25VWM 48.6VC SC74-6
京电港自营
自营
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询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143TPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥100.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1500V 2A TO-3PF-3
京电港自营
自营
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2SK3747-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
10V
-
37.5nC @ 10V
380pF @ 30V
3W（Ta），50W（Tc）
13 欧姆 @ 1A，10V
通孔
TO-3PF-3
SC-94
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.63
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
京电港自营
自营
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NPN
BC848BWT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
30V
100mA
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz
¥94.02
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 250V 16A TO247
京电港自营
自营
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NPN
MJW21196G
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
250V
16A
200W
-65°C ~ 150°C（TJ）
3V @ 3.2A，16A
100µA
20 @ 8A，5V
4MHz
¥6.51
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
京电港自营
自营
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2 PNP（双）
NSS40300DDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
40V
3A
653mW
170mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
180 @ 1A，2V
100MHz
¥13.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 8A DPAK
京电港自营
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NPN
MJD44H11RLG
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
80V
8A
1.75W
-55°C ~ 150°C（TJ）
1V @ 400mA，8A
1µA
40 @ 4A，1V
85MHz
¥20.73
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 70V 7A TO220AB
京电港自营
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NPN
2N6292G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
70V
7A
40W
-65°C ~ 150°C（TJ）
3.5V @ 3A，7A
1mA
30 @ 2A，4V
4MHz
¥3.18
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 44A U8FL
京电港自营
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NTTFS4C10NTWG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.2A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
18.6nC @ 10V
993pF @ 15V
790mW（Ta）, 23.6W（Tc）
7.4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥216.42
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 80A 535W TO247
京电港自营
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NGTB40N120FL2WG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
沟槽型场截止
1200V
80A
200A
2.4V @ 15V，40A
535W
3.4mJ（开），1.1mJ（关）
标准
116ns/286ns
600V，40A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
¥10.02
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5.5VWM 6UDFN
京电港自营
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¥2.40
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5215DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.81
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
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NTRV4101PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
675pF @ 10V
420mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5315DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.64
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
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NTMS4807NR2G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.1A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
24nC @ 4.5V
2900pF @ 24V
860mW（Ta）
6.1 毫欧 @ 14.8A，10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥1.17
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
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NPN
BSV52LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
12V
100mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
400mV @ 5mA，50mA
100nA（ICBO）
40 @ 10mA，1V
400MHz
¥13.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
京电港自营
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PNP - 达林顿
BD676AG
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
45V
4A
40W
-55°C ~ 150°C（TJ）
2.8V @ 40mA，2A
500µA
750 @ 2A，3V
-
¥5.25
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
京电港自营
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7 NPN 达林顿
NCV1413BDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
50V
500mA
-
1.6V @ 500µA，350mA
-
1000 @ 350mA，2V
-
¥0.72
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23
京电港自营
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650MHz
225mW
60 @ 4mA，10V
-
NPN
MMBTH10LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-55°C ~ 150°C（TJ）

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