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频率
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最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥0.48
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
京电港自营
自营
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NPN
BC846ALT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
110 @ 2mA，5V
100MHz
¥6.39
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 37A 8DFN
京电港自营
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NTTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），37A（Tc）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
2.7W（Ta），33W（Tc）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥20.52
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
京电港自营
自营
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NPN - 达林顿
BDX53CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
100V
8A
65W
-65°C ~ 150°C（TJ）
2V @ 12mA，3A
500µA
750 @ 3A，3V
-
¥1.71
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
NST65011MW6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
65V
100mA
380mW
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN VHF/UHF SS 25V TO-92
京电港自营
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650MHz
350mW
60 @ 4mA，10V
-
NPN
MPSH10RLRPG
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
带盒（TB）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥3.42
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 2A SOT-23
京电港自营
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PNP
NSS60200LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
60V
2A
460mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
220mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
150 @ 500mA，2V
100MHz
¥14.88
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 4A TO225AA
京电港自营
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NPN
2N5191G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
4A
40W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.4V @ 1A，4A
1mA
25 @ 1.5A，2V
2MHz
¥219.12
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 90V 20A TO3
京电港自营
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NPN
2N5038G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
90V
20A
140W
-65°C ~ 200°C（TJ）
2.5V @ 5A，20A
-
20 @ 12A，5V
-
¥3.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 1.8A CPH3
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CPH3351-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
6nC @ 10V
262pF @ 20V
1W（Ta）
250 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.95
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 9A 600V DPAK
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NGTB03N60R2DT4G
-
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
-
600V
9A
12A
2.1V @ 15V，3A
49W
50µJ（开），27µJ（关）
标准
27ns/59ns
300V，3A，30 欧姆，15V
175°C（TJ）
¥2.16
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS PNP 50V SC88
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
8 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
SMUN5131DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥11.76
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 12VWM 19VC SOD323
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询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
京电港自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
230mW
-
EMA6DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥10.77
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 10VC SOT1434
京电港自营
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¥0.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.6A SOT323
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PNP
MMBT2907AWT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
60V
600mA
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
1.6V @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，10V
200MHz
¥2.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.13A SOT-23
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NTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.12
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 12V 100MA CPH6
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6.7GHz
800mW
90 @ 30mA，5V
100mA
NPN
CPH6001A-TL-E
-
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
150°C（TJ）
¥5.85
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
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PNP
NSS1C300ET4G
-
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
100V
3A
2.1W
-65°C ~ 150°C（TJ）
400mV @ 300mA，3A
100nA（ICBO）
120 @ 1A，2V
100MHz
¥2.49
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
京电港自营
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2 NPN（双）
SMBT3904DW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
150mW
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
300MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
京电港自营
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2 NPN（双）
EMX1DXV6T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA，50mA
500nA（ICBO）
120 @ 1mA，6V
180MHz

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