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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
京电港自营
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NPN
MMBTA06WT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
80V
500mA
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
250mV @ 10mA，100mA
100nA
100 @ 100mA，1V
100MHz
¥8.76
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 800V 2.9A DPAK
京电港自营
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NDD03N80ZT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.9A（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
17nC @ 10V
440pF @ 25V
96W（Tc）
4.5 欧姆 @ 1.2A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥5.01
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 40A DPAK
京电港自营
自营
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NTD4813NHT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.6A（Ta），40A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
10nC @ 4.5V
940pF @ 12V
1.27W（Ta），35.3W（Tc）
13 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥1.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
3 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5230DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥5.85
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
京电港自营
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PNP
NSS1C300ET4G
-
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
100V
3A
2.1W
-65°C ~ 150°C（TJ）
400mV @ 300mA，3A
100nA（ICBO）
120 @ 1A，2V
100MHz
¥6.51
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 26VWM 46VC SOT234
京电港自营
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¥2.49
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
京电港自营
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2 NPN（双）
SMBT3904DW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
150mW
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
300MHz
¥10.02
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 25VWM 48.6VC SC74-6
京电港自营
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询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
京电港自营
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2 NPN（双）
EMX1DXV6T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA，50mA
500nA（ICBO）
120 @ 1mA，6V
180MHz
¥100.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1500V 2A TO-3PF-3
京电港自营
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2SK3747-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
10V
-
37.5nC @ 10V
380pF @ 30V
3W（Ta），50W（Tc）
13 欧姆 @ 1A，10V
通孔
TO-3PF-3
SC-94
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.41
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
京电港自营
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PNP
SBC857BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
100MHz
¥14.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 80V 6A TO-220AB
京电港自营
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PNP
TIP42BG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
6A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.5V @ 600mA，6A
700µA
15 @ 3A，4V
3MHz
¥88.17
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 140V 16A TO3
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NPN
2N3773G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
140V
16A
150W
-65°C ~ 200°C（TJ）
1.4V @ 800mA，8A
10mA
15 @ 8A，4V
-
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5137DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.42
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
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PNP
MMBT2907ALT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
60V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
1.6V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
200MHz
¥3.18
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 44A U8FL
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NTTFS4C10NTWG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.2A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
18.6nC @ 10V
993pF @ 15V
790mW（Ta）, 23.6W（Tc）
7.4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥216.42
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 80A 535W TO247
京电港自营
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NGTB40N120FL2WG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
沟槽型场截止
1200V
80A
200A
2.4V @ 15V，40A
535W
3.4mJ（开），1.1mJ（关）
标准
116ns/286ns
600V，40A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
¥22.77
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 15A TO-220AB
京电港自营
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PNP
2N6490G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
60V
15A
1.8W
-65°C ~ 150°C（TJ）
3.5V @ 5A，15A
1mA
20 @ 5A，4V
5MHz
¥10.02
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5.5VWM 6UDFN
京电港自营
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¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6
京电港自营
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2 NPN（双）
NSVMBT3904DW1T3G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
40V
200mA
150mW
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
300MHz

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