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MACOM Technology Solutions
Allegro MicroSystems, LLC
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Yageo
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Vishay
Aries Electronics, Inc.
Avago Technologies (Broadcom Limited)
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Bourns, Inc.
CEL (California Eastern Laboratories)
Central Semiconductor
Comchip Technology
Cree
Crydom
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Diodes Incorporated
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Fairchild/ON Semiconductor
FTDI (Future Technology Devices International, Ltd.)
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IDT (Integrated Device Technology)
Infineon Technologies/英飞凌
IXYS Corporation
LAPIS Semiconductor
Lattice Semiconductor
Lite-On, Inc.
Micro Commercial Components (MCC)
Microsemi
MikroElektronika
Mill-Max
Murata Power Solutions
Nexperia
NVE Corporation
NXP Semiconductors / 恩智浦
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ON Semiconductor/Fairchild
Optek Technology / TT Electronics
Panasonic/松下
Preci-Dip
Renesas Electronics America/瑞萨/英特锡尔
ROHM Semiconductor/罗姆
Roving Networks / Microchip
Segger Microcontroller Systems
Semtech
Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Silicon Labs/芯科
SINE Systems / Amphenol
Skyworks Solutions, Inc.
STMicroelectronics/意法半导体
Teccor / Littelfuse
Texas Instruments/德州仪器
Toshiba Semiconductor and Storage
Vicor
Linear Technology/凌力尔特
Vishay / Semiconductor - Opto Division
Bourns Inc./伯恩斯
Bel Power Solutions
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
DiodesZetex/达尔
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FTDI Chip
博通
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IST INNOVATIVE SENSOR TECHNOLOGY
Fagor Electronica/法格
Cressall
Semikron/赛米控
HY Electronic Corp
Dynex
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DAWIN Electronics
SGX Sensortech
Vishay Dale/威世
Panjit International
台湾积体电路
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0.96
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
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16.47
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 16A SO-8FL
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5.31
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 35V 6A CPH6
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1.11
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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16.32
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
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0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
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0.69
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23
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1.92
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
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16.53
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 10VC SC74
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17.55
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 16A SO-8FL
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1.68
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
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11.73
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 3A TO220AB
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96.27
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 30A TO3
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0.78
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PMP BRT SC70-6
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0.00
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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0.51
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
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3.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 1.5A MCPH
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35.19
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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37.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP
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2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
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产品图片
产品详情
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
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0.96
另提供行业标准包装
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型号
MMBT8099LT1G
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0.96
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
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NPN
MMBT8099LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
400mV @ 5mA,100mA
100nA
100 @ 1mA,5V
150MHz
¥
16.47
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4833NT3G
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16.47
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 16A SO-8FL
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NTMFS4833NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
16A(Ta),156A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
88nC @ 11.5V
5600pF @ 12V
910mW(Ta),125W(Tc)
2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥
5.31
另提供行业标准包装
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型号
CPH6443-TL-H
¥
5.31
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 35V 6A CPH6
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CPH6443-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
470pF @ 20V
1.6W(Ta)
37 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
1.11
另提供行业标准包装
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型号
MUN5215DW1T1G
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1.11
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5215DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥
16.32
另提供行业标准包装
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型号
NJVMJB41CT4G
¥
16.32
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
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NPN
NJVMJB41CT4G
-
表面贴装
D2PAK-3
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
100V
6A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
3MHz
¥
0.93
另提供行业标准包装
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型号
BC856BDW1T1G
¥
0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
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2 PNP(双)
BC856BDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
65V
100mA
380mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
¥
0.69
另提供行业标准包装
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¥
0.69
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23
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1.92
另提供行业标准包装
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型号
55GN01CA-TB-E
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1.92
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
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4.5GHz
200mW
100 @ 10mA,5V
70mA
NPN
55GN01CA-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
150°C(TJ)
¥
16.53
另提供行业标准包装
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¥
16.53
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 10VC SC74
京电港自营
自营
对比
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17.55
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4833NT1G
¥
17.55
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 16A SO-8FL
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NTMFS4833NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
16A(Ta),156A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
88nC @ 11.5V
5600pF @ 12V
910mW(Ta),125W(Tc)
2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥
1.68
另提供行业标准包装
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型号
SMMBTA06LT1G
¥
1.68
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
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NPN
SMMBTA06LT1G
-
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
250mV @ 10mA,100mA
100nA
100 @ 100mA,1V
100MHz
¥
11.73
另提供行业标准包装
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型号
TIP32AG
¥
11.73
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 3A TO220AB
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PNP
TIP32AG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
3A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.2V @ 375mA,3A
300µA
10 @ 3A,4V
3MHz
¥
96.27
另提供行业标准包装
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型号
MJ4502G
¥
96.27
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 30A TO3
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PNP
MJ4502G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
100V
30A
200W
-65°C ~ 200°C(TJ)
800mV @ 750mA,7.5A
1mA(ICBO)
25 @ 7.5A,2V
2MHz
¥
0.78
另提供行业标准包装
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型号
MUN5336DW1T1G
¥
0.78
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PMP BRT SC70-6
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1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5336DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
NSBC143EPDXV6T1
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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0.51
另提供行业标准包装
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型号
BC807-16LT1G
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0.51
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
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PNP
BC807-16LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
100 @ 100mA,1V
100MHz
¥
3.24
另提供行业标准包装
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型号
MCH5839-TL-W
¥
3.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 1.5A MCPH
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MCH5839-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW(Ta)
266 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
SC-88AFL/MCPH5
5-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
35.19
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NGTB15N60S1EG
¥
35.19
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
京电港自营
自营
对比
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NGTB15N60S1EG
-
通孔
TO-220
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
NPT
600V
30A
120A
1.7V @ 15V,15A
117W
550µJ(开),350µJ(关)
标准
65ns/170ns
400V,15A,22 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
¥
37.65
另提供行业标准包装
立即购买
型号
MJF6388G
¥
37.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP
京电港自营
自营
对比
收藏
加入购物车
NPN - 达林顿
MJF6388G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
100V
10A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 100mA,10A
10µA
3000 @ 3A,4V
-
¥
2.43
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NSVEMX1DXV6T1G
¥
2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
京电港自营
自营
对比
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2 NPN(双)
NSVEMX1DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz
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