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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
-
-
-
50mA
NPN
NSVF2250WT1
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
NTD4804NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
14.5A(Ta),124A(Tc)
4.5V,11.5V
2.5V @ 250µA
40nC @ 4.5V
4490pF @ 12V
1.43W(Ta),107W(Tc)
4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NDTL01N60ZT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
250mA(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
2W(Tc)
15 欧姆 @ 400mA,10V
表面贴装
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥76.62
自营
NGTB20N120IHWG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
46 周
沟槽型场截止
1200V
40A
80A
2.65V @ 15V,20A
341W
480µJ(关)
标准
-/170ns
600V,20A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
NPN
TIP35CG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100V
25A
125W
-65°C ~ 150°C(TJ)
4V @ 5A,25A
1mA
15 @ 15A,4V
3MHz
NPN,PNP(耦合发射器)
CPH5520-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
80V,50V
2A
1.2W
260mV @ 50mA,1A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
420MHz
NPN - 达林顿
MJD112T4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100V
2A
1.75W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 40mA,4A
20µA
1000 @ 2A,3V
25MHz
¥5.10
自营
NTD5867NLT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
20A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
15nC @ 10V
675pF @ 25V
36W(Tc)
39 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
NPN
MJD243G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
4A
1.4W
-65°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 100mA,1A
100nA(ICBO)
40 @ 200mA,1V
40MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
187mW
-
SSVMUN5312DW1T2G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5233DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
MMBT8099LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
400mV @ 5mA,100mA
100nA
100 @ 1mA,5V
150MHz
¥16.47
自营
NTMFS4833NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
16A(Ta),156A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
88nC @ 11.5V
5600pF @ 12V
910mW(Ta),125W(Tc)
2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥5.31
自营
CPH6443-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
470pF @ 20V
1.6W(Ta)
37 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5215DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
NPN
NJVMJB41CT4G
-
表面贴装
D2PAK-3
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
100V
6A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
3MHz
2 PNP(双)
BC856BDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
65V
100mA
380mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
4.5GHz
200mW
100 @ 10mA,5V
70mA
NPN
55GN01CA-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
150°C(TJ)
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