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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥5.10
自营
NTD5867NLT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
20A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
15nC @ 10V
675pF @ 25V
36W(Tc)
39 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
PNP
NSS60200LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
60V
2A
460mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
220mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
150 @ 500mA,2V
100MHz
NPN
2N5191G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
4A
40W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.4V @ 1A,4A
1mA
25 @ 1.5A,2V
2MHz
NPN
2N5038G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
90V
20A
140W
-65°C ~ 200°C(TJ)
2.5V @ 5A,20A
-
20 @ 12A,5V
-
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
SMUN5131DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
230mW
-
EMA6DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP
MMBT2907AWT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
60V
600mA
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
1.6V @ 50mA,500mA
-
100 @ 150mA,10V
200MHz
NPN - 达林顿
MJF6388G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
100V
10A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 100mA,10A
10µA
3000 @ 3A,4V
-
2 NPN(双)
NSVEMX1DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz
¥22.59
自营
NTMFS4934NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
17.1A(Ta),147A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
34nC @ 4.5V
5505pF @ 15V
930mW(Ta),69.44W(Tc)
2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.02
自营
NTTFS4C25NTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta),27A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
10.3nC @ 10V
500pF @ 15V
690mW(Ta), 20.2W(Tc)
17 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
NGB8206NT4
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
¥13.14
自营
NTD6414ANT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
32A(Tc)
10V
4V @ 250µA
40nC @ 10V
1450pF @ 25V
100W(Tc)
37 毫欧 @ 32A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
NPN
2SC6099-TL-E
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
2A
800mW
150°C(TJ)
165mV @ 100mA,1A
1µA(ICBO)
300 @ 100mA,5V
300MHz
NPN
BD243CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
100V
6A
65W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 1A,6A
700µA
15 @ 3A,4V
3MHz
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC124EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124XPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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