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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥16.47
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 16A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4833NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
16A（Ta），156A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
88nC @ 11.5V
5600pF @ 12V
910mW（Ta），125W（Tc）
2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥5.31
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 35V 6A CPH6
京电港自营
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CPH6443-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
4V，10V
-
10nC @ 10V
470pF @ 20V
1.6W（Ta）
37 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.11
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5215DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥11.76
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 12VWM 19VC SOD323
京电港自营
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¥10.77
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 10VC SOT1434
京电港自营
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¥2.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.13A SOT-23
京电港自营
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NTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥37.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP
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NPN - 达林顿
MJF6388G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
100V
10A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
3V @ 100mA，10A
10µA
3000 @ 3A，4V
-
¥2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
京电港自营
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2 NPN（双）
NSVEMX1DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA，50mA
500nA（ICBO）
120 @ 1mA，6V
180MHz
¥1.68
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
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NPN
SMMBTA06LT1G
-
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
250mV @ 10mA，100mA
100nA
100 @ 100mA，1V
100MHz
¥11.73
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 3A TO220AB
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PNP
TIP32AG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
3A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.2V @ 375mA，3A
300µA
10 @ 3A，4V
3MHz
¥96.27
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 30A TO3
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PNP
MJ4502G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
100V
30A
200W
-65°C ~ 200°C（TJ）
800mV @ 750mA，7.5A
1mA（ICBO）
25 @ 7.5A，2V
2MHz
¥0.78
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PMP BRT SC70-6
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5336DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
15 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.51
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
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PNP
BC807-16LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
700mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
100 @ 100mA，1V
100MHz
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.5A MCPH
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MCH5839-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW（Ta）
266 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
SC-88AFL/MCPH5
5-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥35.19
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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NGTB15N60S1EG
-
通孔
TO-220
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
NPT
600V
30A
120A
1.7V @ 15V，15A
117W
550µJ（开），350µJ（关）
标准
65ns/170ns
400V，15A，22 欧姆，15V
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥10.26
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 24VWM 44VC SOT23
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¥5.10
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 20A DPAK
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NTD5867NLT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
20A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
15nC @ 10V
675pF @ 25V
36W（Tc）
39 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥5.88
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 7A SOT89-3
京电港自营
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PNP
2SA2016-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
50V
7A
3.5W
150°C（TJ）
400mV @ 40mA，2A
100nA（ICBO）
200 @ 500mA，2V
330MHz
¥3.15
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH
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NPN，PNP
MCH6541-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
30V
700mA
550mW
190mV @ 10mA，200mA / 220mV @ 10mA，200mA
100nA（ICBO）
300 @ 50mA，2V / 200 @ 10mA，2V
540MHZ，520MHz

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