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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥6.99
自营
TIG074E8-TL-H
-
表面贴装
SOT-28FL/ECH8
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
-
400V
-
150A
5.4V @ 2.5V,100A
-
-
标准
-
-
150°C(TJ)
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143ZDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
2 NPN(双)
EMX2DXV6T5
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA143ZDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP
SBC857BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
PNP
TIP42BG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
6A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
3MHz
NPN
2N3773G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
140V
16A
150W
-65°C ~ 200°C(TJ)
1.4V @ 800mA,8A
10mA
15 @ 8A,4V
-
NPN
MJD47G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
250V
1A
1.56W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 200mA,1A
200µA
30 @ 300mA,10V
10MHz
NPN,PNP
HN1B01FDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
50V
200mA
380mW
250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA
2µA
200 @ 2mA,6V
-
¥6.39
自营
NTTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta),37A(Tc)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
2.7W(Ta),33W(Tc)
11.5 毫欧 @ 8.7A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥52.08
自营
NVMFS5C404NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
-
10V
4V @ 250µA
128nC @ 10V
8400pF @ 25V
3.9W(Ta),200W(Tc)
0.7 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
MVGSF1N03LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
140pF @ 5V
420mW(Ta)
100 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
TIG056BF
-
通孔
TO-220FI(LS)
TO-220-3 整包
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
430V
-
240A
5V @ 15V,240A
30W
-
标准
46ns/140ns
320V,240A,10 欧姆,15V
150°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
187mW
-
SSVMUN5312DW1T2G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA143EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
-
50mA
NPN
NSVF2250WT1
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
PNP
BC807-25WT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
45V
500mA
460mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
160 @ 100mA,1V
100MHz
PNP
2SB1123S-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
50V
2A
500mW
150°C(TJ)
700mV @ 50mA,1A
100nA(ICBO)
100 @ 100mA,2V
150MHz
NPN
TIP47G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
250V
1A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 200mA,1A
1mA
30 @ 300mA,10V
10MHz
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