购物车中还没有商品,赶紧选购吧!
更多选项
 ~ 
2/76

1507 符合条件

已选择条件
产品图片
产品详情
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
NPN,PNP
MCH6541-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
30V
700mA
550mW
190mV @ 10mA,200mA / 220mV @ 10mA,200mA
100nA(ICBO)
300 @ 50mA,2V / 200 @ 10mA,2V
540MHZ,520MHz
¥13.14
自营
NTD6414ANT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
32A(Tc)
10V
4V @ 250µA
40nC @ 10V
1450pF @ 25V
100W(Tc)
37 毫欧 @ 32A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
2 NPN(双)
MBT3904DW2T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
150mW
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
NPN
SBC846BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
PNP
BD136G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
45V
1.5A
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
-
NPN - 达林顿
TIP141G
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
80V
10A
125W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 40mA,10A
2mA
1000 @ 5A,4V
-
1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V,12V
80 @ 5mA,10V / 270 @ 10mA,2V
250mV @ 300µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
500nA
-
500mW
-
EMF5XV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
NPN
BC846ALT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
110 @ 2mA,5V
100MHz
¥3.00
自营
CPH3351-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
6nC @ 10V
262pF @ 20V
1W(Ta)
250 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.95
自营
NGTB03N60R2DT4G
-
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
-
600V
9A
12A
2.1V @ 15V,3A
49W
50µJ(开),27µJ(关)
标准
27ns/59ns
300V,3A,30 欧姆,15V
175°C(TJ)
NPN - 达林顿
BDX53CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
100V
8A
65W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2V @ 12mA,3A
500µA
750 @ 3A,3V
-
¥2.07
自营
NTR5198NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.7A(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
2.8nC @ 4.5V
182pF @ 25V
900mW(Ta)
155 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
2 NPN(双)
NST65011MW6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
65V
100mA
380mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
¥7.56
自营
NTMS4920NR2G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10.6A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
58.9nC @ 10V
4068pF @ 25V
820mW(Ta)
4.3 毫欧 @ 7.5A,10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
650MHz
350mW
60 @ 4mA,10V
-
NPN
MPSH10RLRPG
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
带盒(TB)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
PNP
NSS60200LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
60V
2A
460mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
220mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
150 @ 500mA,2V
100MHz
NPN
2N5191G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
4A
40W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.4V @ 1A,4A
1mA
25 @ 1.5A,2V
2MHz
NPN
2N5038G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
90V
20A
140W
-65°C ~ 200°C(TJ)
2.5V @ 5A,20A
-
20 @ 12A,5V
-
对比栏

1

您还可以继续添加

2

您还可以继续添加

3

您还可以继续添加

4

您还可以继续添加