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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
150MHz
200mW
110 @ 1mA,10V
30mA
NPN
MSC2295-CT1
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
¥67.71
自营
NGTG35N65FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
场截止
650V
70A
120A
2V @ 15V,35A
300W
840µJ(开),280µJ(关)
标准
72ns/132ns
400V,35A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
PNP
BC808-25LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
25V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
160 @ 100mA,1V
100MHz
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
SMUN5231DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
PNP
NSS12100XV6T1G
-
表面贴装
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
12V
1A
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
440mV @ 100mA,1A
100nA(ICBO)
100 @ 500mA,2V
-
NPN
TIP29CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
100V
1A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 125mA,1A
300µA
15 @ 1A,4V
3MHz
PNP - 达林顿
MJ11033G
-
通孔
TO-3
TO-204AE
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
120V
50A
300W
-55°C ~ 200°C(TJ)
3.5V @ 500mA,50A
2mA
1000 @ 25A,5V
-
PNP
NJW1302G
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
250V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 800mA,8A
50µA(ICBO)
75 @ 3A,5V
30MHz
2 NPN(双)
NSVT45011MW6T3G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
¥18.00
自营
NVMFS5C423NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
-
4.5V,10V
2V @ 250µA
50nC @ 10V
3100pF @ 20V
3.7W(Ta), 83W(Tc)
2 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
NTF6P02T3G
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10A(Ta)
2.5V,4.5V
1V @ 250µA
20nC @ 4.5V
1200pF @ 16V
8.3W(Ta)
50 毫欧 @ 6A,4.5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥5.01
自营
MCH6436-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
7.5nC @ 4.5V
710pF @ 10V
1.5W(Ta)
34 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5134DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5233DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
PNP
MMBT5087LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
50V
50mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
300mV @ 1mA,10mA
50nA(ICBO)
250 @ 100µA,5V
40MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVEMD4DXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥7.56
自营
PNP
NSS12500UW3T2G
-
表面贴装
3-WDFN(2x2)
3-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
12V
5A
875mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
260mV @ 400mA,4A
100nA(ICBO)
200 @ 2A,2V
100MHz
NPN
BU406G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
200V
7A
60W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 500mA,5A
5mA
-
10MHz
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