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最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
京电港自营
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2 NPN（双）
BC847CDXV6T5
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥11.01
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 10VC SC74-6
京电港自营
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¥6.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 3A SOT223
京电港自营
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NTF3055L108T1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
5V
2V @ 250µA
15nC @ 5V
440pF @ 25V
1.3W（Ta）
120 毫欧 @ 1.5A，5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥54.21
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 100A
京电港自营
自营
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BBS3002-TL-1E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100A（Ta）
4V，10V
-
280nC @ 10V
13200pF @ 20V
90W（Tc）
5.8 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
D²PAK（TO-263）
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥4.17
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C09NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW（Ta），25.5W（Tc）
5.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
询价
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 440V 20A 150W D2PAK
京电港自营
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NGB8202NT4G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
440V
20A
50A
1.9V @ 4.5V，20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V，9A，1 千欧，5V
-55°C ~ 175°C（TJ）
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC144WDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥1.92
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
京电港自营
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4.5GHz
200mW
100 @ 10mA，5V
70mA
NPN
55GN01CA-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
150°C（TJ）
¥0.33
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
京电港自营
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NPN
MMBT2222ALT3G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
40V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
1V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
300MHz
¥9.03
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
京电港自营
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PNP
SMMBTA56LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
250mV @ 10mA，100mA
100nA
100 @ 100mA，1V
50MHz
¥11.49
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 3A TO220AB
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NPN
TIP31G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
3A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.2V @ 375mA，3A
300µA
10 @ 3A，4V
3MHz
¥94.92
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 250V 16A TO3
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NPN
MJ21196G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
250V
16A
250W
-65°C ~ 200°C（TJ）
4V @ 3.2A，16A
100µA
25 @ 8A，5V
4MHz
¥16.23
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 10A TO-220ML
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PNP
2SA2222SG
-
通孔
TO-220ML
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
50V
10A
2W
150°C（TJ）
500mV @ 300mA，6A
10µA（ICBO）
150 @ 270mA，2V
230MHz
¥3.09
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN 12V 100MA MCPH4
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10GHz
450mW
60 @ 50mA，5V
100mA
NPN
MCH4015-TL-H
-
表面贴装
4-MCPH
4-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
150°C（TJ）
¥0.51
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 30V 0.6A SOT23
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NPN
MMBT2222LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
30V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
1.6V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
250MHz
¥2.97
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 1A SOT89-3
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PNP
2SB1122S-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
1A
500mW
150°C（TJ）
500mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
100 @ 100mA，2V
150MHz
¥14.67
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA
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PNP - 达林顿
2N6036G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
4A
40W
-65°C ~ 150°C（TJ）
3V @ 40mA，4A
100µA
750 @ 2A，3V
-
¥131.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 16A TO3
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PNP
MJ15025G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
250V
16A
250W
-65°C ~ 200°C（TJ）
4V @ 3.2A，16A
500µA
15 @ 8A，4V
4MHz
¥37.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 10A TO220FP
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NPN
MJF44H11G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
80V
10A
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
1V @ 400mA，8A
1µA
40 @ 4A，1V
50MHz
¥2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
京电港自营
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2 NPN（双）
SNST3904DXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
500mW
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
300MHz

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