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频率
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最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥0.87
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
京电港自营
自营
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NPN，PNP
SHN1B01FDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
200mA
380mW
250mV @ 10mA，100mA
2µA
200 @ 2mA，6V
-
¥9.03
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5VWM 12.5VC SOT363
京电港自营
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¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.95A SOT23
京电港自营
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NVTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥22.08
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 20A TP-FA
京电港自营
自营
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SFT1446-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
20A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
16nC @ 10V
750pF @ 20V
1W（Ta），23W（Tc）
51 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
TP-FA
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.87
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 0.915A SC89-3
京电港自营
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NVE4153NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
915mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
1.82nC @ 4.5V
110pF @ 16V
300mW（Tj）
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
表面贴装
SC-89
SC-89，SOT-490
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114TPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN VHF/UHF BIPO 25V SC-59
京电港自营
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650MHz
225mW
90 @ 1mA，6V
-
NPN
MSD2714AT1G
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥74.79
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 30A TO247
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NGTB30N60IHLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
600V
60A
150A
2.3V @ 15V，30A
250W
280µJ（关）
标准
70ns/140ns
400V，30A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.60
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
京电港自营
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NPN
MMBTA06LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
250mV @ 10mA，100mA
100nA
100 @ 100mA，1V
100MHz
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114TDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 1A SOT-723
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PNP
NSS12100M3T5G
-
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
12V
1A
625mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
410mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
120 @ 500mA，2V
-
¥15.09
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 80V 4A TO225AA
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PNP
2N5195G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
4A
40W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.4V @ 1A，4A
1mA
20 @ 1.5A，2V
2MHz
¥0.54
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
京电港自营
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NPN
BC849CLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
30V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥62.91
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 16A TO-3P
京电港自营
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PNP
NJW21193G
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3，SC-65-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
250V
16A
200W
-65°C ~ 150°C（TJ）
4V @ 3.2A，16A
100µA
20 @ 8A，5V
4MHz
¥4.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88-6
京电港自营
自营
收藏 暂时缺货
2 PNP（双）
NSVT45010MW6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
100MHz
¥4.50
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 7VWM 22.7VC SOD523
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¥26.55
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 11VC 10UDFN
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¥21.66
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 45A D2PAK
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NTB45N06T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
45A（Ta）
10V
4V @ 250µA
46nC @ 10V
1725pF @ 25V
2.4W（Ta），125W（Tj）
26 毫欧 @ 22.5A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥12.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 13.7A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4845NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13.7A（Ta），115A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
62nC @ 11.5V
3720pF @ 12V
890mW（Ta），62.5W（Tc）
2.9 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥5.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.9A CHIPFET
京电港自营
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NTHS5441T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.9A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
22nC @ 4.5V
710pF @ 5V
1.3W（Ta）
46 毫欧 @ 3.9A，4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周

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