|
|
MT25QL128ABA8E12-1SIT TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
128Mb （16M x 8） |
8ms，2.8ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
24-TBGA |
24-T-PBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M29W160ET70N6F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
16Mb （2M x 8，1M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M25P32-VME6TG TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
32Mb （4M x 8） |
15ms，5ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-VDFN 裸露焊盘 |
8-VDFPN（MLP8）（8x6） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M25P16-VMC6TG TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
16Mb （2M x 8） |
15ms，5ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-UDFN 裸露焊盘 |
8-UFDFPN（MLP8）（4x3） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
N25Q064A13EF640F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
64Mb （16M x 4） |
8ms，5ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-VDFN 裸露焊盘 |
8-VDFPN（6x5）（MLP8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M25P40-VMP6GB |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
4Mb （512K x 8） |
15ms，5ms |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-VDFN 裸露焊盘 |
8-VFDFPN（6x5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M25P40-VMN6PB |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
4Mb （512K x 8） |
15ms，5ms |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SO |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M25PX80-VMN6TP TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
8Mb （1M x 8） |
15ms，5ms |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SO |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
MT41K512M8DA-107:P |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3L |
4Gb （512M x 8） |
- |
20ns |
并联 |
1.283 V ~ 1.45 V |
0°C ~ 95°C（TC） |
表面贴装 |
78-TFBGA |
78-FBGA（8x10.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
N25Q00AA13GSF40G |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
1Gb （256M x 4） |
8ms，5ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
16-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
MT46H64M16LFBF-5 IT:B |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - 移动 LPDDR |
1Gb （64M x 16） |
15ns |
5.0ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
60-VFBGA |
60-VFBGA（8x9） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
MT41J256M8DA-093:K |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3 |
2Gb （256M x 8） |
- |
20ns |
并联 |
1.425 V ~ 1.575 V |
0°C ~ 95°C（TC） |
表面贴装 |
78-TFBGA |
78-FBGA（8x10.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M29DW256G70NF6E |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
256Mb （16M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
56-TSOP（14x20） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
PF38F5060M0Y0BEA |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
512Mb （32M x 16） |
96ns |
96ns |
并联 |
1.7 V ~ 2 V |
-30°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
105-TFBGA，CSPBGA |
105 闪存 SCSP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
PF48F3000P0ZTQ0A |
StrataFlash™ |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
128Mb （8M x 16） |
85ns |
85ns |
并联 |
1.7 V ~ 2 V |
-40°C ~ 85°C（TC） |
表面贴装 |
88-TFBGA，CSPBGA |
88-SCSP（8x10） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
RC28F256P30BFE |
StrataFlash™ |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
256Mb （16M x 16） |
100ns |
100ns |
并联 |
1.7 V ~ 2 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
64-TBGA |
64-EasyBGA（10x13） |
- |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
JS28F256P30TFE |
StrataFlash™ |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
256Mb （16M x 16） |
110ns |
110ns |
并联 |
1.7 V ~ 2 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
56-TSOP（14x20） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
PC28F512M29EWHA |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
512Mb （64M x 8，32M x 16） |
100ns |
100ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
64-LBGA |
64-FBGA（11x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
JS28F512M29EWHA |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
512Mb （64M x 8，32M x 16） |
110ns |
110ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
56-TSOP（14x20） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
8Gb （1G x 8） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
