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MT9VDDT3272HG-40BG2 |
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DDR SDRAM |
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- |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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- |
200MHz |
200-SODIMM |
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MTA36ASF4G72PZ-2G3B1 |
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DDR4 SDRAM |
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- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
- |
2400MT/s |
288-RDIMM |
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MT29F8G08ABABAWP:B TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
8Gb （1G x 8） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP I |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （1G x 1） |
- |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C（TA） |
表面贴装 |
24-TBGA |
24-TBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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MT29F2G08ABBEAHC:E TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
2Gb （256M x 8） |
- |
- |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
63-VFBGA |
63-VFBGA（10.5x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
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MT29F2G08ABAGAWP-IT:G TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
2Gb （256M x 8） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
2Gb （2G x 1） |
- |
- |
SPI |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-UDFN |
8-U-PDFN（8x6） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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|
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （128M x 8） |
- |
- |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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|
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （128M x 8） |
- |
- |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
63-VFBGA |
63-VFBGA（9x11） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
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|
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （128M x 8） |
- |
- |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
63-VFBGA |
63-VFBGA（9x11） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
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|
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （1G x 1） |
- |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-UDFN |
8-U-PDFN（8x6） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
|
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|
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NAND |
1Gb （1G x 1） |
- |
- |
SPI |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-UDFN |
8-U-PDFN（8x6） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
|
|
|
N25Q064A13EF8A0F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
64Mb （16M x 4） |
8ms，5ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 125°C（TA） |
表面贴装 |
8-VDFN 裸露焊盘 |
8-VDFPN（6x5）（MLP8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
N25Q064A13EF8H0F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
64Mb （16M x 4） |
8ms，5ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-VDFN 裸露焊盘 |
8-VDFPN（6x5）（MLP8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13E1241F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
128Mb （32M x 4） |
8ms，5ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
24-TBGA |
24-T-PBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
M25P32-VMP6TG TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
32Mb （4M x 8） |
15ms，5ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-VDFN 裸露焊盘 |
8-VFQFPN（6x5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
N25Q016A11E5140F TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
16Mb （4M x 4） |
8ms，1ms |
- |
SPI |
1.7 V ~ 2 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-XFBGA，CSPBGA |
8-XFCSP（2x2.8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
M45PE80-VMP6TG TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
8Mb （1M x 8） |
15ms，3ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-VDFN 裸露焊盘 |
8-VFQFPN（6x5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
M29W800DT70ZE6E |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
8Mb （1M x 8，512K x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
M25P80-VMP6TG TR |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
8Mb （1M x 8） |
15ms，5ms |
- |
SPI |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
8-VDFN 裸露焊盘 |
8-VDFPN（6x5）（MLP8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
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