购物车中还没有商品,赶紧选购吧!
更多选项
 ~ 
60/69

1361 符合条件

已选择条件
产品图片
产品详情
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥5.52
自营
NTD3055L104T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Ta)
5V
2V @ 250µA
20nC @ 5V
440pF @ 25V
1.5W(Ta),48W(Tj)
104 毫欧 @ 6A,5V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥25.17
自营
NTMFS5C430NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta),185A(Tc)
10V
3.5V @ 250µA
10nC @ 10V
3300pF @ 25V
3.8W(Ta), 106W(Tc)
1.7 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.02
自营
NTMFS4C09NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW(Ta),25.5W(Tc)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
NGB8206NTF4
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSBA113EDXV6T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5131DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
SBC847CLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
PNP
BD788G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
4A
15W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2.5V @ 800mA,4A
100µA
40 @ 200mA,3V
50MHz
NPN - 达林顿
MJ11012G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
30A
200W
-55°C ~ 200°C(TJ)
4V @ 300mA,30A
1mA
1000 @ 20A,5V
4MHz
PNP
TIP42AG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
6A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
3MHz
2 PNP(双)
NST3906DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
250MHz
PNP
NSS30100LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
30V
1A
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
650mV @ 200mA,2A
100nA
100 @ 500mA,2V
100MHz
NPN - 达林顿
BD677AG
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
4A
40W
-55°C ~ 150°C(TJ)
2.8V @ 40mA,2A
500µA
750 @ 2A,3V
-
NPN
NJL3281DG
-
通孔
TO-264
TO-264-5
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
260V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
75 @ 5A,5V
30MHz
NPN
BUV26G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
90V
20A
85W
-65°C ~ 175°C(TJ)
1.5V @ 1.2A,12A
-
-
-
2 NPN(双)
CPH6538-TL-H
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
30V
700mA
600mW
190mV @ 10mA,200mA
100nA(ICBO)
300 @ 50mA,2V
540MHz
7GHz
100mW
90 @ 20mA,5V
70mA
NPN
2SC5231A-8-TL-E
-
表面贴装
SMCP
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
¥3.30
自营
CPH6445-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
4V,10V
-
6.8nC @ 10V
310pF @ 20V
1.6W(Ta)
117 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.40
自营
NTLUS3A18PZTAG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5.1A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
700mW(Ta)
18 毫欧 @ 7A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
31 周
¥3.18
自营
SCH1433-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW(Ta)
64 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
对比栏

1

您还可以继续添加

2

您还可以继续添加

3

您还可以继续添加

4

您还可以继续添加