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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥5.52
自营
NTD3055L104T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Ta)
5V
2V @ 250µA
20nC @ 5V
440pF @ 25V
1.5W(Ta),48W(Tj)
104 毫欧 @ 6A,5V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥25.17
自营
NTMFS5C430NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta),185A(Tc)
10V
3.5V @ 250µA
10nC @ 10V
3300pF @ 25V
3.8W(Ta), 106W(Tc)
1.7 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.02
自营
NTMFS4C09NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW(Ta),25.5W(Tc)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
NGB8206NTF4
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSBA113EDXV6T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
NPN
MJD200T4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
25V
5A
1.4W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.8V @ 1A,5A
100nA(ICBO)
45 @ 2A,1V
65MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5131DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP - 达林顿
2N6034G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
4A
40W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 40mA,4A
100µA
750 @ 2A,3V
-
PNP
MCH6101-TL-E
-
表面贴装
6-MCPH
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
15V
1.5A
1W
150°C(TJ)
180mV @ 15mA,750mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
430MHz
2 PNP(双)
BC857BDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
4 NPN(四路)
MMPQ2222AR1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
500mA
1W
1V @ 50mA,500mA
50nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
350MHz
¥236.28
自营
NDUL09N150CG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
10V
4V @ 1mA
114nC @ 10V
2025pF @ 30V
3W(Ta),78W(Tc)
3 欧姆 @ 3A,10V
TO-3PF-3
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.40
自营
MMBF0201NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
225mW(Ta)
1 欧姆 @ 300mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥106.65
自营
NGTB20N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
沟槽型场截止
1200V
40A
120A
2.45V @ 15V,20A
384W
450µJ(关)
标准
-/235ns
600V,20A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5316DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
NPN
SBC847BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
150mW
-
UMC2NT1
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
MJD31C1G
-
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
3A
1.56W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.2V @ 375mA,3A
50µA
10 @ 3A,4V
3MHz
NPN
BC817-16LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
500mA
300mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
100 @ 100mA,1V
100MHz
NPN - 达林顿
MJH11020G
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
200V
15A
150W
-65°C ~ 150°C(TJ)
4V @ 150mA,15A
1mA
400 @ 10A,5V
3MHz
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3

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