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DAWIN Electronics
SGX Sensortech
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3.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 50V 1A CPH6
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5.73
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 9A DPAK
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3.27
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN 8V 150MA MCPH4
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34.86
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 100A ATPAK
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4.05
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 2.6A 6UDFN
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16.68
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB
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2.94
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 3A CPH6
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0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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0.00
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 15V 0.2A SOT23
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7.59
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 10A TP-FA
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5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 8.9A 8WDFN
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1.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS BRT 50V 100MA SOT563
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0.00
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
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1.23
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 500MA SOT-23
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2.43
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A CPH3
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92.67
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
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15.33
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 6A TO-220AB
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0.48
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
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产品图片
产品详情
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
工作温度
¥
3.66
另提供行业标准包装
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型号
CPH6531-TL-E
¥
3.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 50V 1A CPH6
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2 PNP(双)
CPH6531-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
1A
50V
380mV @ 10mA,500mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
1.1W
420MHz
¥
5.73
另提供行业标准包装
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型号
NTD3055L170T4G
¥
5.73
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 9A DPAK
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NTD3055L170T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
5V
2V @ 250µA
10nC @ 5V
275pF @ 25V
1.5W(Ta),28.5W(Tj)
170 毫欧 @ 4.5A,5V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
3.27
另提供行业标准包装
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型号
MCH4021-TL-E
¥
3.27
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN 8V 150MA MCPH4
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16GHz
400mW
60 @ 50mA,5V
150mA
NPN
MCH4021-TL-E
-
表面贴装
4-MCPH
4-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
150°C(TJ)
¥
34.86
另提供行业标准包装
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型号
ATP304-TL-H
¥
34.86
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 100A ATPAK
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ATP304-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100A(Ta)
4.5V,10V
-
250nC @ 10V
13000pF @ 20V
90W(Tc)
6.5 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
4.05
另提供行业标准包装
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型号
NTLUS3A90PZTAG
¥
4.05
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 2.6A 6UDFN
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NTLUS3A90PZTAG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW(Ta)
62 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥
16.68
另提供行业标准包装
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型号
2N6043G
¥
16.68
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB
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NPN - 达林顿
2N6043G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
8A
60V
2V @ 16mA,4A
20µA
1000 @ 4A,4V
75W
-
-65°C ~ 150°C(TJ)
¥
2.94
另提供行业标准包装
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型号
CPH6123-TL-E
¥
2.94
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 3A CPH6
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PNP
CPH6123-TL-E
-
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
3A
50V
650mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
1.3W
390MHz
150°C(TJ)
¥
0.93
另提供行业标准包装
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型号
BC847BDW1T1G
¥
0.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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2 NPN(双)
BC847BDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
MUN5135DW1T1
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5135DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
0.84
另提供行业标准包装
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型号
MMBT2369ALT1G
¥
0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 15V 0.2A SOT23
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NPN
MMBT2369ALT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
200mA
15V
500mV @ 10mA,100mA
400nA
20 @ 100mA,1V
225mW
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
¥
7.59
另提供行业标准包装
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型号
2SC6017-TL-E
¥
7.59
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 10A TP-FA
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NPN
2SC6017-TL-E
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
10A
50V
360mV @ 250mA,5A
10µA(ICBO)
200 @ 1A,2V
950mW
200MHz
150°C(TJ)
¥
5.04
另提供行业标准包装
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型号
NTTFS4939NTAG
¥
5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 8.9A 8WDFN
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NTTFS4939NTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.9A(Ta),52A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
28nC @ 10V
1979pF @ 15V
850mW(Ta),29.8W(Tc)
5.5 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥
1.05
另提供行业标准包装
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型号
MUN5214DW1T1G
¥
1.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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对比
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2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5214DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
2.43
另提供行业标准包装
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型号
NSVB143ZPDXV6T1G
¥
2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS BRT 50V 100MA SOT563
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1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVB143ZPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
0.00
另提供行业标准包装
立即询价
型号
MBT6429DW1T1
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
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对比
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2 NPN(双)
MBT6429DW1T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
100nA
500 @ 100µA,5V
150mW
700MHz
¥
1.23
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NTR4003NT1G
¥
1.23
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 500MA SOT-23
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NTR4003NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥
2.43
另提供行业标准包装
立即购买
型号
CPH3356-TL-W
¥
2.43
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A CPH3
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对比
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CPH3356-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
3.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
1W(Ta)
137 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
92.67
另提供行业标准包装
立即购买
型号
MJ11012G
¥
92.67
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
京电港自营
自营
对比
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NPN - 达林顿
MJ11012G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
30A
60V
4V @ 300mA,30A
1mA
1000 @ 20A,5V
200W
4MHz
-55°C ~ 200°C(TJ)
¥
15.33
另提供行业标准包装
立即购买
型号
TIP42AG
¥
15.33
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 6A TO-220AB
京电港自营
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对比
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PNP
TIP42AG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
6A
60V
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
2W
3MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
¥
0.48
另提供行业标准包装
立即购买
型号
BC857BLT1G
¥
0.48
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
京电港自营
自营
对比
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加入购物车
PNP
BC857BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100mA
45V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
300mW
100MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
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64
65
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67
68
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