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¥3.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
京电港自营
自营
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DMP2100UFU-13
-
2 个 P 沟道（双）
标准
20V
5.7A
38 毫欧 @ 3.5A，10V
1.4V @ 250µA
21.4nC @ 10V
906pF @ 10V
900mW
表面贴装
U-DFN2030-6
6-UFDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
自营
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DMP2065UFDB-13
-
2 个 P 沟道
标准
4.5A（Ta）
50 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
9.1nC @ 4.5V
752pF @ 15V
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563
京电港自营
自营
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DMP58D0SV-7
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
50V
160mA
8 欧姆 @ 100mA，5V
2.1V @ 250µA
-
27pF @ 25V
400mW
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN
京电港自营
自营
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DMC2004LPK-7
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
750mA，600mA
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
500mW
表面贴装
6-DFN1612（1.2x1.6）
6-SMD，无引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥0.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
京电港自营
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DMN63D8LDW-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
220mA
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
870nC @ 10V
22pF @ 25V
300mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥73.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
京电港自营
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DI9952T
-
N 和 P 沟道
标准
30V
2.9A
-
-
-
-
2W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
京电港自营
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DI9942T
-
N 和 P 沟道
标准
20V
2.5A
-
-
-
-
1.6W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥27.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
京电港自营
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ZXMN6A09DN8TA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
4.3A
40 毫欧 @ 8.2A，10V
3V @ 250µA
24.2nC @ 5V
1407pF @ 40V
1.25W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥20.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
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ZXMP3A16DN8TA
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
4.2A
45 毫欧 @ 4.2A，10V
1V @ 250µA（最小）
29.6nC @ 10V
1022pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥16.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
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ZXMN3A06DN8TA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
4.9A
35 毫欧 @ 9A，10V
1V @ 250µA（最小）
17.5nC @ 10V
796pF @ 25V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥15.54
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC
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DMC4047LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
7A，5.1A
24 毫欧 @ 6A，10V
2.4V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.86
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
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DMP2100UCB9-7
-
2 P 沟道（双）共源
逻辑电平门
20V
3A
100 毫欧 @ 1A，4.5V
900mV @ 250µA
4.2nC @ 4.5V
310pF @ 10V
800mW
表面贴装
U-WLB1515-9
9-UFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
京电港自营
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DMN3032LFDBQ-7
-
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
6.2A
30 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
10.6nC @ 10V
500pF @ 15V
1W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.42
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
京电港自营
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DMN2004DWK-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
200mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
京电港自营
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DMN32D4SDW-7
-
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
650mA
400 毫欧 @ 250mA，10V
1.6V @ 250µA
1.3nC @ 10V
50pF @ 15V
290mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.65
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
京电港自营
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DMN3190LDW-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
1A
190 毫欧 @ 1.3A，10V
2.8V @ 250µA
2nC @ 10V
87pF @ 20V
320mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
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DMNH6022SSDQ-13
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
7.1A，22.6A
27 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
32nC @ 30V
2127pF @ 25V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥13.80
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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ZXMC3A17DN8TA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
4.1A，3.4A
50 毫欧 @ 7.8A，10V
1V @ 250µA（最小）
12.2nC @ 10V
600pF @ 25V
1.25W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
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DMT3011LDT-7
-
2 N 沟道（双）非对称型
标准
30V
8A，10.7A
20 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 10V
641pF @ 15V
1.9W
表面贴装
V-DFN3030-8（K 类）
8-VDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥9.06
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
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DMHC3025LSDQ-13
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
标准
30V
6A，4.2A
25 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
11.7nC @ 10V
590pF @ 15V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周

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